맞춤기술찾기

이전대상기술

산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법(Oxide Transistor and the controlling Method thereof)

  • 기술번호 : KST2017002275
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 트랜지스터 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일면에 따른 산화물 트랜지스터는, 게이트 전극으로 사용되는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트절연막; 상기 실리콘 절연막의 상부에 밴드갭(Gap)이 기설정된 기준치 이상인 반도체 물질의 혼합 용액을 스핀코팅(Spin Coating)하는 공정중에 기설정된 자외선을 기설정된 시간동안 조사하여 산화물 활성층을 형성한 후 어닐링(annealing)함에 따라 형성된 산화물 박막; 및 상기 산화물 박막의 상부에 알루미늄을 증착하여 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020150118067 (2015.08.21)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0022722 (2017.03.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.21)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성진 대한민국 경기도 안양시 만안구
2 김원유 대한민국 충청북도 청주시 서원구
3 엄주송 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0813551-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0013238-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0784925-86
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1257056-85
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1257054-94
7 등록결정서
Decision to grant
2017.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0316064-15
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0113408-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
게이트 전극으로 사용되는 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 기판을 회전시키면서 상기 게이트 절연막 상에 인듐-아연 용액을 코팅하는 스핀 코팅 공정과, 자외선을 상기 게이트 절연막 상에 조사하는 자외선 조사 공정을 동시에 진행하여 산화물 활성층을 형성하는 단계;상기 산화물 활성층에 대하여 어닐링(anealing) 공정을 수행하여 IZO 박막을 형성하는 단계; 및상기 IZO 박막 상에 알루미늄을 증착하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 산화물 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 인듐-아연 용액을 20~30nm의 두께로 코팅하며, 상기 산화물 활성층을 형성하는 단계에서, 자외선 조사 공정을 진행함에 있어서, 300~450nm의 파장을 갖고, 1200mW/cm2 강도의 자외선을 60초 내지 90초 동안 조사하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제8항에서, 상기 IZO 박막을 형성하는 단계는,상기 산화물 활성층이 형성된 상기 기판을 노(Furnace)에서 350℃의 온도에서 4시간 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 것인 산화물 트랜지스터 제조 방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017034203 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2017034203 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 충북대학교 산학협력단 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업 1차년도 사회맞춤형 산학협력 선도대학(LINC+) 육성사업
2 미래창조과학부 충북대학교 산학협력단 대학ICT연구센터육성지원사업 홀로그램 융합 기술 연구개발
3 한국에너지기술평가원 충북대학교산학협력단 에너지 정책연계/융복합 트랙 Zero-Sum Power 소비를 위한 전력/IT 융복합 고급트랙