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기판을 제공하는 단계와;상기 기판 상에 하부 도핑층을 형성하는 단계와;상기 하부 도핑층의 불순물의 확산이 일어나지 않도록 저온 공정을 통해 상기 하부 도핑층 상에 절연막을 형성하는 단계와;상기 절연막을 포토 레지스트를 이용하여 소정의 패턴으로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와;상기 트렌치 내에 채널을 형성하고, 하부 도핑층의 불순물의 채널로의 확산을 방지할 수 있는 저온 공정을 통해 상기 채널 상에 상부 도핑층을 형성하는 단계와;하부 도핑층의 불순물의 채널로의 확산을 방지하면서 상기 상부 도핑층을 활성화하기 위하여, 상기 상부 도핑층 상에 엑시머 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 터널 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 저온 공정은 650℃ 이하의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 수직형 터널 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 채널과 상부 도핑층을 in-situ 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 터널 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 상부 도핑층과 하부 도핑층 및 채널은 에피 성장이 가능한 반도체 물질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 터널 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 상부 도핑층 및 하부 도핑층 중 소스로 구성되는 층의 반도체 물질은 채널과 드레인으로 구성되는 반도체 물질의 밴드갭보다 작은 물질을 이용하고, 드레인으로 구성되는 반도체 물질은 채널의 반도체 물질의 밴드갭보다 같거나 큰 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 수직형 터널 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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