1 |
1
금속과 질소가 도핑된 그래핀을 형성하는 단계;상기 금속과 질소가 도핑된 그래핀을 이용하여 구조체를 형성하는 단계; 및상기 구조체를 열처리하여, 금속 산화물과 질소가 도핑된 그래핀 전극 소재를 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속과 질소가 도핑된 그래핀을 이용하여 구조체를 형성하는 단계는,상기 금속과 질소가 도핑된 그래핀을 폴리머와 혼합하여 방사 용액을 형성하는 단계; 및상기 방사 용액을 전기방사 방법을 이용하여 방사하여 그물망 구조체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 구조체를 열처리하여, 금속 산화물과 질소가 도핑된 그래핀 전극 소재를 형성하는 단계는, 상기 그물망 구조체의 상기 폴리머가 고리 구조를 형성하도록, 상기 그물망 구조체를 안정화 처리하는 단계;상기 고리 구조가 형성된 상기 그물망 구조체를 탄화 처리하는 단계; 및상기 탄화 처리된 상기 그물망 구조체를 활성화 처리하는 단계;를 포함하는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 금속과 질소가 도핑된 그래핀을 형성하는 단계는, 그라파이트와 금속 볼을 금속 용기에 장입하는 단계;상기 금속 용기의 내부를 질소 분위기로 형성하는 단계; 및상기 그라파이트를 상기 금속 볼을 이용하여 볼밀하여 분쇄하여 금속과 질소가 도핑된 그래핀을 형성하는 단계;를 포함하는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 그라파이트는 10 메쉬(mesh) 내지 1000 메쉬의 크기를 가지는 분말을 포함하는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
4 |
4
청구항 2에 있어서,상기 금속 볼과 상기 금속 용기는, 스테인레스, 철(Fe), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 망간(Mn), 코발트(Co), 구리(Cu), 아연(Zn), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루비듐(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드뮴(Cd), 하프늄(Hf), 탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au), 또는 이들의 합금을 포함하는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
5 |
5
청구항 2에 있어서,상기 그래핀에 도핑되는 금속은, 상기 금속 볼, 상기 금속 용기, 또는 이들 모두로부터 제공되는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
6 |
6
청구항 2에 있어서,상기 금속 용기 내를 질소 분위기로 형성하는 단계는, 상기 금속 용기를 질소 가스로 충진하고 배출하는 단계를 반복적으로 수행한 후에 최종적으로 상기 금속 용기를 질소 가스로 충진하여 이루어지는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 그래핀에 도핑된 상기 금속은, 상기 그래핀을 구성하는 탄소 원자 사이에 개재되도록 배치되거나, 상기 탄소 원자와 결합되는 질소 원자를 치환하여 상기 탄소 원자와 결합하도록 배치되거나, 상기 탄소 원자를 치환하여 배치되는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
8 |
8
삭제
|
9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 안정화 처리하는 단계는, 공기 분위기에서 250℃ 내지 350℃ 범위의 온도에서 수행되는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 탄화 처리하는 단계는, 불활성 분위기에서 900℃ 내지 1100℃ 범위의 온도에서 수행되는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
11 |
11
청구항 1에 있어서,상기 활성화 처리하는 단계는, 이산화탄소 분위기에서 700℃ 내지 900℃ 범위의 온도에서 수행되는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
12 |
12
청구항 1에 있어서,상기 안정화 처리하는 단계는 공기 분위기에서 280℃의 온도에서 1 시간 동안 수행되고, 상기 탄화 처리하는 단계는, 질소 가스 분위기에서 1000℃의 온도에서 1 시간 동안 수행되고, 상기 활성화 처리하는 단계는, 이산화탄소 분위기에서 800℃의 온도에서 1 시간 동안 수행되는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
13 |
13
청구항 1에 있어서,상기 그래핀에 도핑된 상기 금속은, 상기 안정화 처리하는 단계에서, 상기 탄화 처리하는 단계에서, 또는 양 단계 모두에서, 금속 산화물을 형성하는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
14 |
14
청구항 1에 있어서,상기 폴리머는, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리메틸메스아크릴레이트(PMMA), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리우레탄, 폴리에테르우레탄, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 폴리메틸아크릴레이트(PMA), 폴리비닐아세테이트 (PVAc), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 및 폴리아마이드로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는, 그래핀 전극 소재의 제조 방법
|
15 |
15
삭제
|
16 |
16
삭제
|
17 |
17
삭제
|
18 |
18
삭제
|
19 |
19
삭제
|
20 |
20
삭제
|