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II-VI족 반도체 나노입자 및 산화흑연이 전기적 상호작용으로 결합된 산화흑연-나노입자 복합체의 표면에 전자공여체 고분자와 전자수용체 고분자가 코팅된 것을 특징으로 하고,상기 산화흑연은 Hummers의 방법으로 흑연을 강산과 산화제로 산화시켜 표면에 수산기, 에폭시기, 카르복시기 중 선택된 1 이상의 관능기가 결합된 것을 특징으로 하고,상기 II-VI족 반도체 나노입자 : 산화흑연의 함량비는 1 : 1~7인 것을 특징으로 하는 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체
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제1항에 있어서,상기 II-VI족 반도체 나노입자는 CdTe 또는 CdSe 인 것을 특징으로 하는, 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체
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제1항에 있어서, 상기 전자공여체 고분자는 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)이고, 상기 전자수용체 고분자는 [6,6]-페닐 C61 부틸산 메틸에스테르인 것을 특징으로 하는, 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체
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제1항에 있어서, 상기 반도체 나노입자의 크기는 10 nm 내지 100 nm 이고, 상기 산화흑연의 입자크기는 수 ㎛ 내지 수십 ㎛ 이며, 상기 전도성고분자의 분자량(Mn)은 15,000 내지 75,000 인 것을 특징으로 하는, 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체
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제1항에 있어서, 상기 전도성고분자 : 산화흑연-나노입자 복합체의 함량비는 0
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제1항에 있어서, 상기 복합체는 UV/Vis 스펙트럼에서 520nm, 564nm, 및 610nm에서 서로 구분되는 특성흡수 밴드를 나타내는 것을 특징으로 하는, 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체
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1) Hummers의 방법으로 흑연을 강산과 산화제로 산화시켜 표면에 수산기, 에폭시기, 카르복시기 중 선택된 1 이상의 관능기가 결합된 산화흑연 용액에 II-VI족 반도체 나노입자의 수용액을 첨가한 후 교반하여 얻은 산화흑연-반도체 나노입자 복합체에 용매를 첨가하여, 상기 II-VI족 반도체 나노입자 : 산화흑연의 함량비가 1 : 1~7인 산화흑연-반도체 나노입자 복합체 용액을 형성하는 단계; 2) 전자공여체 고분자와 전자수용체 고분자를 극성용매에 첨가하고 교반하여 전도성고분자 혼합용액을 형성하는 단계; 및3) 상기 산화흑연-반도체 나노입자 복합체 용액에 전도성고분자 혼합용액을 첨가하여 전도성고분자-산화흑연-반도체 나노입자 복합체를 형성하는 단계; 를 포함하는, 제1항에 따른 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체의 제조방법
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제1항에 따른 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체를 포함하는 용액을 기판 상에 도포하는 단계; 를 포함하는, 광활성층 박막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 도포 후 100~200℃의 온도로 유지하여 건조하는 단계;를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는, 광활성층 박막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 도포 후 건조 이전에 산화흑연을 환원하는 단계; 를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는, 광활성층 박막의 제조방법
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기판과, 상기 기판 위에 위치하며 투명 전도층을 포함하는 제1 전극과 상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층과, 상기 정공 주입층 위에 위치하고 전자 공여체, 전자 수용체 및 반도체 나노입자를 포함하는 광활성층 및 상기 광활성층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 광활성층은 제1항에 따른 전도성고분자-반도체 나노입자-산화흑연 복합체를 포함하는 유기 태양전지
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