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게이트 전극;상기 게이트 전극과 상하 방향으로 이격되고, 수평 방향으로 서로 이격된 소오스 전극 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막과 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성된 활성층을 포함하고,상기 활성층은 InTiZnO 박막으로 형성되며,상기 InTiZnO 박막은 하측에서 상측으로 갈수록 적어도 어느 하나의 조성비가 증가하거나 감소하도록 형성된 박막 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 상기 활성층은 적어도 일부가 결정화된 박막 트랜지스터
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청구항 2에 있어서, 상기 활성층은 적어도 일부에 엑시머 레이저가 조사된 박막 트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극을 형성하고 그 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 InTiZnO 박막을 형성하는 단계;상기 InTiZnO 박막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 InTiZnO 박막은 하측에서 상측으로 갈수록 적어도 어느 하나의 조성비가 증가하거나 감소하도록 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 InTiZnO 박막은 산소 분위기에서 인듐, 징크 및 티타늄이 혼합된 타겟을 이용한 스퍼터링 공정으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 InTiZnO 박막의 적어도 일부를 결정화하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 결정화는 엑시머 레이저를 조사하여 실시하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 엑시머 레이저는 InTiZnO 박막을 형성하는 단계로부터 상기 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 후의 사이에 적어도 한번 실시하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 엑시머 레이저의 조사 횟수 및 조사 에너지의 적어도 어느 하나에 따라 문턱 전압, 온/오프 전류비, 이동도가 조절되는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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