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태양전지의 광활성층 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2017002545
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광 흡수 효과가 우수한 반도체 복합막을 포함하는 태양전지의 광활성층이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 태양광을 흡수하여 전기를 생산하는 태양전지의 광활성층은, 나노 응집체 및 전도성 고분자를 포함하는 반도체 복합막을 포함할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01L 31/0304 (2006.01) H01L 31/0296 (2006.01)
CPC H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01) H01L 51/4206(2013.01)
출원번호/일자 1020130054527 (2013.05.14)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1659119-0000 (2016.09.13)
공개번호/일자 10-2014-0134817 (2014.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20160922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도훈 대한민국 경상남도 하동군
2 오원태 대한민국 부산광역시 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원대규 대한민국 서울특별시 금천구 디지털로 ***, ***호(에이스가산 타워)(세인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)아톰알로이 충청북도 충주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0425968-13
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0058242-69
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0480792-08
4 보정요구서
Request for Amendment
2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0062557-85
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0519835-76
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0037266-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0599615-73
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1044996-68
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1044975-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0204216-41
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0478192-90
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0604947-22
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0604927-19
17 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0495665-74
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0908619-14
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0908648-27
20 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0747426-68
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1277234-39
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1276827-25
23 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0145252-02
24 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0303015-14
25 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.03.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0302992-17
26 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0294596-42
27 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0413194-69
28 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0413046-10
29 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0537473-13
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번호 청구항
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태양광을 흡수하여 전기를 생산하는 태양전지의 광활성층의 제조 방법에 있어서,상기 태양전지의 광활성층의 제조 방법은,탄소나노튜브와 화합물 반도체를 혼합시켜 나노 응집체를 제조하는 제 1 단계;상기 나노 응집체와 전도성 고분자를 혼합하는 제 2 단계; 및상기 나노 응집체 및 상기 전도성 고분자를 포함하는 반도체 복합막을 제조하는 제 3 단계를 포함하고,상기 제 1 단계에 있어서,상기 나노 응집체는 탄소나노튜브를 산성용액으로 처리하여 표면을 개질키시는 표면처리단계;상기 표면처리된 탄소나노뷰트를 수용액에 첨가한 후 초음파로 분산시키는 분산단계;상기 탄소나노튜브 수용액에 화합물 반도체를 첨가한 후 교반하는 혼합단계; 및상기 혼합된 수용액을 원심분리하여 상기 탄소나노튜브의 표면 상에 응집된 화합물 반도체를 분리하는 분리단계에 의해 상기 나노 응집체가 형성되는 태양전지 광활성층의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 나노 응집체는 상기 탄소나노튜브와 상기 화합물 반도체를 2:1 내지 5:1의 비율로 혼합하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 광활성층의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 반도체 복합막은 상기 나노 응집체와 상기 전도성 고분자를 1:0
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제10 항에 있어서,화합물 반도체는 MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, ZnO, Cu2O, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs 및 InSb로 구성되는 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 광활성층의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리(p-페닐린)(poly(p-phenylene), PPP), 폴리(p-페닐렌비닐린)(poly(p-phenylenevinylene), PPV), 폴리피롤(polypyrrole, PPy), 폴리티오펜(polythiophene, PT), 폴리이소시아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리(2-메톡시-5-(2-에틸헥실록시)-1,4-페닐렌비닐렌)(poly(2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene)), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT) 및 폴리(아닐린 N-부틸술포네이트)(poly(aniline N-butylsulfonate), PAnBuS)로 구성되는 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 광활성층의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.