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기판; 상기 기판 상에 열처리 단계를 포함하여 형성된 그래핀, 상기 그래핀 상에 형성된 전극, 및 상기 그래핀 및 전극 상에 40 내지 100 nm의 두께로 증착된 금속 나노입자를 포함하는 센싱층;을 포함하고,상기 센싱층이 형성된 기판을 100℃까지 승온시키면서 제 1 열처리하고,800 내지 1300℃까지 승온시키면서 제 2 열처리하는 그래핀 기반 수소센서
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 SiO2, TiN, Al2O3, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Pd, Pt, Al, Ni, Mn, Mo, Mg, 및 V로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서
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제 3 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Pd 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서
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제 3 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Pd 및 Pt인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서
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기판 상에 그래핀을 전사하는 단계;상기 전사된 그래핀 상의 일부에 전극을 형성하는 단계;상기 그래핀 및 전극 상에 40 내지 100 nm의 두께로 증착된 금속 나노입자를 포함하는 센싱층을 형성하는 단계;상기 센싱층이 형성된 기판을 100℃까지 승온시키면서 열처리하는 제 1 열처리 단계; 및상기 제 1 열처리된 기판을 800 내지 1300℃까지 승온시키면서 열처리하는 제 2 열처리 단계;를 포함하는 그래핀 기반 수소센서를 제조하는 방법
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제 7 항에 있어서,상기 기판에 그래핀을 전사하는 단계는,베이스 부재를 형성하는 단계;상기 베이스 부재 상에 SiO2층을 성장시키는 단계;상기 SiO2 층상에 결정성 3C-SiC 박막을 성장시키는 단계;상기 결정성 3C-SiC 박막상에 Ni층을 증착시키는 단계;상기 Ni층이 증착된 베이스 부재를 열처리하는 단계;상기 열처리 된 베이스 부재를 냉각하는 단계; 및상기 냉각된 베이스 부재 상에 형성된 그래핀을 상기 기판으로 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서를 제조하는 방법
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제 7 항에 있어서,상기 기판은 SiO2, TiN, Al2O3, TiO2 및 SiN로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서를 제조하는 방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Pd, Pt, Al, Ni, Mn, Mo, Mg, 및 V로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서를 제조하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Pd 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서를 제조하는 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 나노입자는 Pd 및 Pt인 것을 특징으로 하는 그래핀 기반 수소센서를 제조하는 방법
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