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고분자 코어; 및양쪽성 그래핀(graphene)으로 구성되는 쉘을 포함하고,상기 양쪽성 그래핀은 표면 개질되어 그래핀 탄소 원자 100개에 대하여 하기 수학식 1을 만족하는 n개의 친수성기를 표면에 포함하며,고분자 코어에 대한 양쪽성 그래핀의 함량이 1 phr인 그래핀-고분자 복합체에 대한 전기 전도도(L) 평가 시, 하기 수학식 2를 만족하는 그래핀-고분자 복합체:[수학식 1]0
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제1항에 있어서,친수성기는, COO-M+ 및 SO3-M+ 중 어느 하나 이상을 포함하고,상기 M은 H, Li, Na, K, Rb, Cs 또는 4차 아민인 그래핀-고분자 복합체
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제1항에 있어서,양쪽성 그래핀의 함량은, 고분자 코어에 대하여 0
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제1항에 있어서,고분자 코어는, 메틸아크릴레이트(methylacrylate, MA), 에틸아크릴레이트(ethylacrylate, EA), 부틸아크릴레이트(butylacrylate, BA), 메틸메타크릴레이트(methylmetacrylate, MMA), 에틸메타크릴레이트(ethylmetacrylate, EMA), 부틸메타크릴레이트(butylmetacrylate, BMA), 2-에틸헥실메타크릴레이트(2-ethylhexylmetacrylate, EHMA), 글리시딜메타크릴레이트(glycidyl methacrylate, GMA), 스티렌(styrene) 알파-메틸스티렌(α-methylstyrene), 염화비닐(vinylchloride), 염화비닐리덴(vinylidene chloride), 에틸렌(ethylene) 및 프로필렌(propylene)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 비닐계 단량체가 중합된 것을 특징으로 하는 그래핀-고분자 복합체
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비닐계 단량체, 개시제 및 양쪽성 그래핀을 포함하는 혼합물의 중합반응을 수행하여 그래핀-고분자 복합체를 제조하는 단계를 포함하고;상기 양쪽성 그래핀은 COO-M+ 및 SO3-M+ 중 어느 하나 이상의 친수성기(M=H, Li, Na, K, Rb, Cs 또는 4차 아민)와; 하나의 아민기를 포함하는 화합물로 표면 개질되며,그래핀 탄소 원자 100개에 대하여 하기 수학식 1을 만족하는 n개의 친수성기를 표면에 포함하는 그래핀-고분자 복합체의 제조방법:[수학식 1]0
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제6항에 있어서,중합반응은, 분산중합, 유화중합 또는 현탁중합인 것을 특징으로 하는 그래핀-고분자 복합체의 제조방법
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제6항에 있어서,양쪽성 그래핀의 혼합량은, 비닐계 단량체에 대하여 0
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제6항에 있어서,그래핀-고분자 복합체의 크기는, 0
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제6항에 있어서,비닐계 단량체는 메틸아크릴레이트(methylacrylate, MA), 에틸아크릴레이트(ethylacrylate, EA), 부틸아크릴레이트(butylacrylate, BA), 메틸메타크릴레이트(methylmetacrylate, MMA), 에틸메타크릴레이트(ethylmetacrylate, EMA), 부틸메타크릴레이트(butylmetacrylate, BMA), 2-에틸헥실메타크릴레이트(2-ethylhexylmetacrylate, EHMA), 글리시딜메타크릴레이트(glycidyl methacrylate, GMA), 스티렌(styrene) 알파-메틸스티렌(α-methylstyrene), 염화비닐(vinylchloride), 염화비닐리덴(vinylidene chloride), 에틸렌(ethylene) 및 프로필렌(propylene)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 그래핀-고분자 복합체의 제조방법
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