1 |
1
고분자; 상기 고분자 상면에 구비되는 상부 전극; 및 상기 고분자 하면에 구비되는 하부 전극; 을 포함하는 압력센서들의 집합체로 이루어지면서, 상기 고분자는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막으로 구성되고, 고결정성 P(VDF-TrFE) 분자사슬(molecular chain)의 방향과 압력센서의 길이 방향이 일치하는 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극에는,연결배선이 구비되는 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 연결배선은,도전성 접착부재에 의해 상부 전극 및 하부 전극에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
4 |
4
청구항 2에 있어서,상기 연결배선은,전도성 도선 또는 필름인 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 고분자는,사각 형태의 막인 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
6 |
6
청구항 7에 있어서,상기 고결정성 P(VDF-TrFE) 막은,P(VDFx-TrFE1-x)에서 x가 70~80 %인 고분자인 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 고결정성 P(VDF-TrFE) 막은,스트레칭 공정 및 어닐링 공정을 통해 결정성이 극대화되는 것을 특징으로 하는 고결정성P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 고결정성 P(VDF-TrFE) 막은,건식 식각에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 고결정성P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
9 |
9
청구항 1에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극은,알루미늄, 금, 구리, 니켈 및 크롬 중 선택되는 어느 하나의 재료 또는 이들 재료의 복수의 조합으로 제조되는 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 압력센서는,백킹(Backing)에 접착시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|
11 |
11
청구항 1에 있어서,상기 압력센서는,마이크로제조(microfabrication) 방법을 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고결정성 P(VDF-TrFE) 막을 이용한 압력센서 어레이
|