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p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체에 있어서,
상기 산화아연화합물은 산화아연(ZnO)과 제2종화합물분자를 혼합하여 형성되데, 상기 제2종화합물분자는 산화리튬(Li2O), 불화리튬(LiF), 염화리튬(LiCl), 산화나트륨(Na2O), 불화나트륨(NaF), 염화나트륨(NaCl), 산화칼륨(K2O), 불화칼륨(KF), 염화칼륨(KCl), Co2O3, CuO로 구성된 그룹 중에서 2종류 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체
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제 1항에 있어서, 상기 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체는,
상기 제2종화합물분자가 적어도 산화리튬(Li2O)과 불화리튬(LiF)을 포함하는 것으로서, 그 분자량비가,
ZnO/( ZnO+제2종화합물분자)=0
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제 2항에 있어서, 상기 산화아연에 혼합되는 제2종화합물분자는,
Li2O 및 LiF 외에 2가 또는 3가 금속산화물을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체
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제 1항에 있어서, 상기 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체는,
스퍼터링(sputtering)용 타겟, 전자빔용 타겟 및 이온도금용 타겟 중에 어느 하나로 사용되어 박막 또는 후막으로 제조되는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체
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제 4항에 있어서, 상기 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체는,
유리, 사파이어, 실리콘(Si), 비소화갈륨(GaAs), 탄화실리콘(SiC) 중의 어느 하나의 표면에 피복됨에 의해 발광소자로의 p-n접합체 기판으로 사용되는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체
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제 4항에 있어서, 상기 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체는,
투명수지 필름 표면에 피복되어 투명수지 필름으로 사용되는 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체
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7
산화아연(ZnO)에 제2종화합물분자를 혼합하되, 제2종화합물분자/(ZnO+제2종화합물분자)의 분자량비가 0
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제 7항에 있어서, 상기 소결체는 스퍼터링용 타겟, 전자빔용 타켓 및 이온도금용 타겟 중 하나로 사용됨을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체를 이용한 박막의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 소결체는 유리표면 또는 투명수지필름에 피복됨을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체를 이용한 박막의 제조방법
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10
산화아연(ZnO)에 제2종화합물분자를 혼합하되, 제2종화합물분자/(ZnO+제2종화합물분자)의 분자량비가 0
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제 10항에 있어서, 상기 산화아연화합물이 아연의 카르복시산염, 무기아연화합물, 아연알콕시드로 된 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 p형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체를 이용한 후막의 제조방법
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