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반도체 칩의 실장 방법

  • 기술번호 : KST2017003729
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 칩의 실장 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 칩의 실장 방법은 반도체 칩의 본딩 패드 상에 형성된 금속 범프와 인쇄회로 기판에 형성된 금속 배선 중 적어도 하나의 영역에 수소 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및 상기 금속 범프 및 상기 금속 배선을 접합하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 따르면, 수소 플라즈마 처리에 의하여 금속 범프 및 금속 배선의 금속 산화막은 제거되고, 일정시간 동안 재산화가 방지된다. 이에 따라, 반도체 칩의 실장 공정은 상온 또는 상압하에서 실시될 수 있다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100018159 (2010.02.26)
출원인 삼성전기주식회사, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1113438-0000 (2012.01.31)
공개번호/일자 10-2011-0098510 (2011.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동규 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 강정윤 대한민국 부산광역시 금정구
3 최진원 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 문선재 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 조승재 대한민국 부산광역시 서구
6 이아름 대한민국 부산광역시 사하구
7 정태준 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 경기도 수원시 영통구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0129917-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034939-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0255395-30
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0534794-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0534793-74
7 등록결정서
Decision to grant
2012.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0036983-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 칩의 본딩 패드 상에 형성된 금속 범프와 인쇄회로 기판에 형성된 금속 배선 중 적어도 하나의 영역에 수소 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및상기 금속 범프 및 상기 금속 배선을 접합하는 단계;를 포함하며, 상기 금속 범프 및 금속 배선의 접합 단계에서 상기 금속 범프 및 상기 금속 배선의 접합 면에 초음파를 인가하는 반도체 칩의 실장방법
2 2
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마 처리에 의하여 상기 금속 범프 및 상기 금속 배선에 형성된 금속 산화막이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마는 저주파(LF)에 의하여 발생되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마 처리는 15 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마 처리는 50 내지 200Pa의 압력으로 유지되는 챔버 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마 처리는 1 내지 10KV의 출력 범위를 갖는 수소 플라즈마에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속 범프 및 상기 금속 배선은 동일 종류의 금속인 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 수소 플라즈마의 처리 단계 전에 상기 금속 범프 및 상기 금속 배선 중 적어도 하나의 영역을 연마하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 금속 범프 및 금속 배선의 접합 단계는 상온 또는 상압 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법
10 10
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