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소정의 입력 신호을 입력 받으며, 상기 입력 신호의 위상을 기준으로 반전된 증폭 신호 및 비반전된 증폭 신호를 각각 출력하는 제1 증폭부;상기 제1 증폭부에서 비반전된 증폭 신호를 위상 반전하여 상기 제1 증폭부에서 반전된 증폭 신호와 혼합하고, 상기 혼합에 따라 상기 입력신호의 위상을 기준으로 반전 위상을 가지며 잡음이 제거된 출력 신호를 출력하는 제1 잡음 제거부;상기 입력 신호를 입력 받으며, 상기 제1 증폭부에서의 증폭 신호들과는 다른 상기 입력 신호의 위상을 기준으로 반전된 증폭 신호 및 비반전된 증폭 신호를 각각 출력하는 제2 증폭부; 및상기 제2 증폭부에서 반전된 증폭 신호를 위상 반전하여 상기 제2 증폭부에서 비반전된 증폭 신호와 혼합하고, 상기 혼합에 따라 상기 입력신호의 위상을 기준으로 비반전 위상을 가지며 잡음이 제거된 출력 신호를 출력하는 제2 잡음 제거부를 포함하되, 상기 제1 잡음 제거부 및 제2 잡음 제거부 중 적어도 하나는 대칭형의 2개의 PMOS 트랜지스터를 포함하는 PMOS형의 전류 미러를 포함하는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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소정의 입력 신호을 입력 받으며, 상기 입력 신호의 위상을 기준으로 반전된 증폭 신호 및 비반전된 증폭 신호를 각각 출력하는 제1 증폭부;상기 제1 증폭부에서 비반전된 증폭 신호를 위상 반전하여 상기 제1 증폭부에서 반전된 증폭 신호와 혼합하고, 상기 혼합에 따라 상기 입력신호의 위상을 기준으로 반전 위상을 가지며 잡음이 제거된 출력 신호를 출력하는 제1 잡음 제거부;상기 입력 신호를 입력 받으며, 상기 제1 증폭부에서의 증폭 신호들과는 다른 상기 입력 신호의 위상을 기준으로 반전된 증폭 신호 및 비반전된 증폭 신호를 각각 출력하는 제2 증폭부; 및상기 제2 증폭부에서 반전된 증폭 신호를 위상 반전하여 상기 제2 증폭부에서 비반전된 증폭 신호와 혼합하고, 상기 혼합에 따라 상기 입력신호의 위상을 기준으로 비반전 위상을 가지며 잡음이 제거된 출력 신호를 출력하는 제2 잡음 제거부를 포함하되,상기 제1 잡음 제거부 및 상기 제2 잡음 제거부 중 적어도 하나는 상호 자기접속 되는 2개의 코일로 이루어진 변압기를 포함하는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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공통 게이트로 동작되며, 소스에서 입력 신호(IN)를 입력 받는 NMOS형 트랜지스터(M11)와, 공통 소스로 동작되며, 게이트에서 상기 입력 신호를 입력 받는 NMOS형 트랜지스터(M12)를 포함하는 제1 증폭부;전류 미러로 동작하는 PMOS형 트랜지스터(M21) 및 PMOS형 트랜지스터(M22)를 포함하여, 상기 입력신호의 위상을 기준으로 반전 위상을 가지는 출력 신호를 출력하는 제1 잡음 제거부;공통 게이트로 동작되며, 소스에서 상기 입력 신호를 입력 받는 NMOS형 트랜지스터(M31)와, 공통 소스로 동작되며, 게이트에서 상기 입력 신호를 입력 받는 NMOS형 트랜지스터(M32)를 포함하는 제2 증폭부; 및전류 미러로 동작하는 PMOS형 트랜지스터(M41) 및 PMOS형 트랜지스터(M42)를 포함하여, 상기 입력신호의 위상을 기준으로 비반전 위상을 가지는 출력 신호를 출력하는 제2 잡음 제거부를 포함하는 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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제 5 항에 있어서,상기 PMOS형 트랜지스터(M21)는, 게이트는 드레인과 연결되고, 소스는 전원(Vdd)과 연결되며, 상기 드레인은 상기 NMOS형 트랜지스터(M11)의 드레인과 연결되는 것이고, 상기 PMOS형 트랜지스터(M22)는, 게이트는 상기 PMOS형 트랜지스터(M21)의 게이트와 연결되며, 소스는 상기 전원과 연결되고, 드레인은 상기 NMOS형 트랜지스터(M12)의 드레인과 연결되는 것이되, 상기 NMOS형 트랜지스터(M12)의 드레인과 상기 PMOS형 트랜지스터(M22)의 드레인이 연결된 노드에서 상기 입력 신호의 위상을 기준으로 반전 위상을 가지는 출력 신호를 출력하는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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제 5 항에 있어서,상기 PMOS형 트랜지스터(M41)는, 게이트는 드레인과 연결되고, 소스는 전원(Vdd)과 연결되며, 상기 드레인은 상기 NMOS형 트랜지스터(M32)의 드레인과 연결되는 것이고, 상기 PMOS형 트랜지스터(M42)는, 게이트는 상기 PMOS형 트랜지스터(M41)의 게이트와 연결되며, 소스는 상기 전원과 연결되고, 드레인은 상기 NMOS형 트랜지스터(M31)의 드레인과 연결되는 것이되,상기 PMOS형 트랜지스터(M42)의 드레인과 NMOS형 상기 트랜지스터(M31)의 드레인이 연결된 노드에서 상기 입력 신호의 위상을 기준으로 비반전 위상을 가지는 출력 신호를 출력하는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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제 5 항에 있어서, 상기 NMOS형 트랜지스터(M11)의 소스 및 상기 NMOS형 트랜지스터(M31)의 소스는 일단이 접지되는 임피던스의 타단과 연결되는 것이며, 상기 임피던스는 인덕턴스가 레지스턴스 및 커패시턴스 보다 큰 값을 가지도록 선택되는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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제 5 항에 있어서,상기 NMOS형 트랜지스터(M12), 상기 PMOS형 트랜지스터(M22), 상기 NMOS형 트랜지스터(M32) 및 상기 PMOS형 트랜지스터(M42) 중 적어도 하나의 게이트단에는 직류 신호를 차단하고, 교류 신호를 전달하기 위한 커패시터를 포함하는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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제 5 항에 있어서, 상기 트랜지스터들은 포화 영역에서 동작되도록 각각 바이어스 되는 것인 잡음 제거를 위한 차동 증폭기
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