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포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치 의 제조방법

  • 기술번호 : KST2017003972
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은, 신규의 광산발생제(photoacid generator, PAG); 및 퍼플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA) 및 2-메틸아다맨틸 메타크릴레이트(MAMA) 공중합체를 포함한다. 이에 따라, 과불소화 용매에 선택적으로 용해시킬 수 있는 광산발생제가 포함된 포토레지스트 조성물을 도입함으로써 친수성 또는 소수성 용매가 주는 악영향을 줄일 수 있다. 또한, 비이온성(Non-ionic PAG)의 특징을 가지므로, 기존의 이온성 광산발생제보다 약한 산성도를 나타내게 되며, 결과적으로 유기 발광재료의 산성도를 줄일 수 있다.
Int. CL G03F 7/004 (2006.01.01) C07D 221/06 (2006.01.01) G03F 7/004 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020130014193 (2013.02.08)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 인하대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단, 서울시립대학교 산학협력단, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1400390-0000 (2014.05.21)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
3 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
4 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
5 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황도훈 대한민국 부산 금정구
2 김영미 대한민국 인천 남동구
3 윤종근 대한민국 경기 군포시 산본로***번길 **, **
4 허준영 대한민국 서울 마포구
5 도의두 대한민국 경기 고양시 일산서구
6 이연경 대한민국 서울 강서구
7 이창희 대한민국 서울 송파구
8 이진균 대한민국 인천 남구
9 임종민 대한민국 부산광역시 해운대구
10 김지훈 대한민국 부산 강서구
11 정병준 대한민국 경기 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
3 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
4 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
5 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0118393-47
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0018045-44
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0147026-86
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095152-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0139021-07
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0385313-35
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0385312-90
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0344022-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 광산발생제(Photo-Acid Generator, PAG)
2 2
하기 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 광산발생제(photoacid generator, PAG); 및퍼플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA) 및 2-메틸아다맨틸 메타크릴레이트(MAMA) 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 조성물
3 3
제 2 항에 있어서,상기 퍼플루오로데실 메타크릴레이트(FDMA) 및 2-메틸아다맨틸 메타크릴레이트(MAMA) 공중합체는,하기 화학식 5로 표시되는 공중합체이며, x : y = 0
4 4
제 3 항에 있어서,상기 화학식 5로 표시되는 공중합체는,x : y = 1 : 4 인 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 조성물
5 5
제 2 항에 있어서,상기 광산발생제는, 상기 공중합체가 1 일때 0
6 6
기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 상기 제 2항의 포토레지스트 조성물을 형성하는 단계;마스크 패턴을 통해 자외선(UV)을 조사하여 상기 포토레지스트 조성물을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 포토레지스트 조성물 상에 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 패터닝된 포토레지스트 조성물과, 이의 상부에 접촉된 상기 유기발광층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 패턴된 포토레지스트 조성물과, 이의 상부에 접촉된 상기 유기발광층을 제거하는 단계는, 과불소계 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 자외선은,365 nm 파장인 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계 이후에,정공 수송층 또는 정공 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.