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베젤 형성 부분을 제외한 기판 상에 포지티브 타입의 포토레지스트(PR) 층을 형성하는 사진 식각 단계;상기 기판 및 포토레지스트층 상에 DLC층을 형성하는 DLC층 형성 단계; 및상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계;를 포함하는 터치스크린 패널 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 사진 식각 단계에 사용되는 감광제는 점도 CP 20이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 사진 식각 단계는 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층 상에 베젤 형성 부분을 제외한 부분에 마스크층을 형성하는 단계;UV광을 조사하여 베젤 형성 부분에 형성된 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 DLC층의 두께는 1 내지 1
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트층의 두께는 상기 DLC층의 두께보다 0
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제 1 항에 있어서,상기 DLC층 형성단계는 상기 기판 및 포토레지스트층 상에 Ar 기체 플라즈마를 이용하여 전처리 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널 제조방법
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7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 DLC층 형성단계는 C2H2 및 N2 기체 플라즈마를 이용하여 DLC 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널 제조방법
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제 7 항 에 있어서,상기 C2H2 : N2 기체 혼합비율이 3 : 1 인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 DLC층 형성단계는 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System, PECVD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널 제조방법
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