1 |
1
외곽 지지체;상기 외곽 지지체의 내벽에 배치되는 질량체;상기 외곽 지지체로부터 상기 질량체를 연결하기 위한 연결부;각각이 상기 질량체와 상기 외곽 지지체 사이에 연결되는 복수의 압저항체들; 및일단이 상기 질량체에 연결되고, 상기 외곽 지지체의 수평 방향으로 배치되는 과다변위 방지용 바를 포함하고,상기 복수의 압저항체들은 휘스톤 브릿지 형태로 상기 질량체와 상기 외곽 지지체의 내력 사이에 연결되는 압저항형 가속도계
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 외곽 지지체의 내벽으로부터 돌출되어 형성되는 제1 제한부와 제2 제한부를 더 포함하는 압저항형 가속도계
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 과다변위 방지용 바의 타단은,상기 제1 제한부와 상기 제2 제한부 사이에 정의되는 상기 질량체를 위한 과다변위 방지용 공간에 배치되는 압저항형 가속도계
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 외곽 지지체의 내벽으로부터 함몰되어 상기 연결부의 일측에 형성되는 제1 홈; 및상기 외곽 지지체의 내벽으로부터 함몰되어 상기 연결부의 타측에 형성되는 제2 홈을 더 포함하는 압저항형 가속도계
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 질량체는,적어도 하나의 질량 조절용 관통부를 포함하는 압저항형 가속도계
|
7 |
7
제3항에 있어서,상기 과다 변위 방지용 바의 타단, 상기 제1 제한부, 및 상기 제2 제한부 중에서 적어도 어느 하나에 형성되는 간극 조절용 추가 증착층을 더 포함하는 압저항형 가속도계
|
8 |
8
실리콘층을 수직 식각하여 외곽 지지체, 상기 외곽 지지체의 내벽에 배치되는 질량체, 상기 외곽 지지체로부터 상기 질량체를 연결하기 위한 연결부, 및 일단이 상기 질량체에 연결되어 상기 외곽 지지체의 수평 방향으로 배치되는 과다변위 방지용 바를 형성하는 단계; 및상기 질량체와 상기 외곽 지지체 사이에 연결되도록 복수의 압저항체들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수의 압저항체들은 휘스톤 브릿지 형태로 상기 질량체와 상기 외곽 지지체의 내벽 사이에 연결되는 압저항형 가속도계 제조 방법
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 질량체에 적어도 하나의 질량 조절용 관통부를 형성하는 단계를 더 포함하는 압저항형 가속도계 제조 방법
|
10 |
10
제8항에 있어서,상기 외곽 지지체에는,상기 외곽 지지체의 내벽으로부터 돌출된 제1 제한부와 제2 제한부가 형성되고,상기 과다변위 방지용 바의 타단이 상기 제1 제한부와 상기 제2 제한부 사이에 정의되는 과다변위 방지용 공간에 배치되는 압저항형 가속도계 제조 방법
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 과다변위 방지용 바의 타단, 상기 제1 제한부, 및 상기 제2 제한부 중에서 적어도 어느 하나에 간극 조절용 추가 증착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 압저항형 가속도계 제조 방법
|
12 |
12
제8항에 있어서,상기 외곽 지지체에는,상기 연결부의 일측에 상기 외곽 지지체의 내벽으로부터 함몰된 제1 홈이 형성되고, 상기 연결부의 타측에 상기 외곽 지지체의 내벽으로부터 함돌된 제2 홈이 형성되는 압저항형 가속도계 제조 방법
|
13 |
13
제11항에 있어서,상기 간극 조절용 추가 증착층은,스퍼터링(sputtering), 열증발증착(thermal evaporator), 전자빔증착(electron beam evaporator), 플라즈마 증착, 화학기상증착(chemical vapor deposition), 도금, 스프레이 코팅, 및 딥 코팅 중에서 적어도 어느 하나를 통해 형성되는 압저항형 가속도계 제조 방법
|
14 |
14
제11항에 있어서,상기 간극 조절용 추가 증착층을 형성하는 단계는,상기 적어도 어느 하나를 부분적으로 식각하는 단계; 및상기 적어도 어느 하나에서 부분적으로 식각된 영역에 상기 간극 조절용 추가 증착층을 쉐도우 마스크 및 감광막 중에서 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 단계를 포함하는 압저항형 가속도계 제조 방법
|