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전류 미러로 이루어지는 트랜지스터(M11) 및 트랜지스터(M12)를 포함하되, 상기 트랜지스터(M11)의 소스는 접지되고, 드레인은 게이트와 연결되며, 게이트는 상기 트랜지스터(M12)의 게이트와 연결되되, 상기 트랜지스터(M12)는 공통 소스로 동작하는 것이고, 입력 전류를 입력받아 상기 트랜지스터(M11) 및 상기 트랜지스터(M12)의 사이즈 비에 따라 증폭시켜 상기 입력 전류와 동일한 위상의 출력 전류를 출력하는 전류 미러부;드레인이 상기 트랜지스터(M11)의 드레인과 연결되며, 소스는 접지되고 게이트는 포화영역에서 동작되도록 하는 전압을 제공받아 바이어스되는 트랜지스터(M13)를 포함하되, 상기 입력 전류에 있어서 직류 전류를 도통시켜 상기 전류 미러부에서의 직류 증폭을 방지하는 직류 증폭 방지부; 및드레인에서 기준 전류를 제공받으며, 소스는 접지되고, 게이트는 드레인 및 일단이 상기 트랜지스터(M13)과 연결되는 저항의 타단과 연결되는 트랜지스터(M14)를 포함하며, 상기 트랜지스터(M13)에 대한 상기 트랜지스터(M14)의 사이즈 비를 변경하여 상기 직류 증폭 방지부를 통해 흐르는 상기 직류 전류의 전류량이 조절되는 것이며, 상기 직류 증폭 방지부의 동작을 위한 바이어스 전압을 제공하는 바이어스부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 증폭기
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전류 미러로 이루어지는 트랜지스터(M11) 및 트랜지스터(M12)를 포함하되, 트랜지스터(M11)의 소스는 접지되고, 드레인은 게이트와 연결되며, 게이트는 트랜지스터(M12)의 게이트와 연결되되, 상기 트랜지스터(M12)는 공통 소스로 동작하는 것이고, 비반전 위상의 입력 전류(Iin+)를 입력받아 비반전 위상의 출력 전류(Iout+)를 출력하는 제1 전류 미러부;드레인이 상기 트랜지스터(M11)의 드레인과 연결되며, 소스는 접지되고 게이트는 포화영역에서 동작되도록 하는 전압을 제공받아 바이어스되는 트랜지스터(M13)를 포함하되, 상기 비반전 위상의 입력 전류(Iin+)에 있어서 직류 전류를 도통시켜 상기 제1 전류 미러부에서의 직류 전류의 증폭을 방지하는 제1 직류 증폭 방지부;전류 미러를 구성하는 트랜지스터들(M21, M22)를 포함하되, 트랜지스터(M21)의 소스는 접지되고, 드레인은 게이트와 연결되며, 게이트는 트랜지스터(M22)의 게이트와 연결되되, 상기 트랜지스터(M22)는 공통 소스로 동작하는 것이고, 반전 위상의 입력 전류(Iin-)를 입력받아 반전 위상의 출력 전류(Iout-)를 출력하는 제2 전류 미러부;드레인이 상기 트랜지스터(M21)의 드레인과 연결되며, 소스는 접지되고 게이트는 포화영역에서 동작되도록 하는 전압을 제공받아 바이어스되는 트랜지스터(M23)를 포함하되, 상기 반전 위상의 입력 전류(Iin-)에 있어서 직류 전류를 도통시켜 상기 제2 전류 미러부에서의 직류 전류의 증폭을 방지하는 제2 직류 증폭 방지부;일단이 상기 트랜지스터(M13)의 게이트와 연결되며 타단이 상기 트랜지스터(M21) 및 상기 트랜지스터(M22)의 각각의 게이트와 연결되는 커패시터(C12)를 포함하여 직류는 차단하고 교류 신호는 전달하도록 하여 상기 제1 전류 미러부로부터 상기 제2 직류 증폭 방지부로의 교류 커플링을 제공하는 제1 교류 커플링부; 및 일단이 상기 트랜지스터(M23)의 게이트와 연결되며 타단이 상기 트랜지스터(M11) 및 상기 트랜지스터(M12)의 각각의 게이트와 연결되는 커패시터(C21)를 포함하여 직류는 차단하고 교류 신호는 전달하도록 하여 상기 제2 전류 미러부로부터 상기 제1 직류 증폭 방지부로의 교류 커플링을 제공하는 제2 교류 커플링부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 증폭기
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제 6 항에 있어서, 드레인은 게이트와 연결되고 기준 전류를 제공받으며, 소스는 접지되고, 게이트는 일단이 상기 트랜지스터(M13) 및 상기 트랜지스터(M23) 중 어느 하나와 연결되는 저항의 타단과 연결되는 트랜지스터를 포함하는 바이어스부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전류 증폭기
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