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In-AI-Zn-O 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2017004442
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판; 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 절연층; 상기 절연층 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0.1 내지 10 중량%인 채널층; 및 상기 채널층 상부에 형성된 소오스/드레인 전극;을 포함하는 투명 박막 트랜지스터를 개시한다. 본 발명에 따르면, 가격이 저렴하면서도 널리 존재하는 알루미늄을 박막 트랜지스터의 채널층에 도핑하여 IAZO층을 형성함으로써 투명하면서도 소자특성이 우수하며, 기존의 IGZO에서 고가의 갈륨(Ga)를 대체할 수 있어 제조비용을 낮출 수 있다는 장점이 있다. 또한 스퍼터링 공법 하나로 공정이 가능하여 공정의 간소화할 수 있으며, 연속 공정이 가능하여 대량생산에 가능하고 모든 공정이 상온에서 가능하여 비용절감 및 에너지 절약 측면에서도 유리하다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020110104399 (2011.10.13)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1299952-0000 (2013.08.20)
공개번호/일자 10-2013-0039815 (2013.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송풍근 대한민국 부산광역시 해운대구
2 방준호 대한민국 부산광역시 서구
3 정재헌 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0799343-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0085003-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0735899-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0105165-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0105166-96
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0371708-06
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0584283-86
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.06.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0584308-39
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0516075-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상부에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 형성된 절연층;상기 절연층 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 채널층은 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 및 산소(O)로 이루어진 군으로부터 선택된 단일 소결체 타겟을 사용하거나, 또는 상기 단일 소결체 타겟이 2개 이상 조합된 복합 소결체 타겟을 사용하여 스퍼터링(sputtering)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 Pt, Al, Au, Cu, Cr, Ni, Ru, Mo, V, Zr, Ti, W, 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 ITO, IZO, NiO, Ag2O, In2O3-Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2 및 Zr으로 도핑된 ZnO으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서,상기 절연층은 이트륨산화물, 폴리테트라플루오로에틸렌, 테트라플루오로에틸렌/퍼플루오로(알킬 비닐에테르)공중합체, 테트라플루오로에틸렌/헥사플루오로프로필렌 공중합체, 퍼플루오로페닐렌, 퍼플루오로비페닐렌, 퍼플루오로나프타닐렌, 에틸렌-테트라플루오로에틸렌, 및 폴리(비닐리덴 플루오라이드)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극은 Pt, Al, Au, Cu, Cr, Ni, Ru, Mo, V, Zr, Ti, W, 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종이거나, 또는 ITO(Indium tin oxide), AZO(Al-doped ZnO), IZO(Indium zinc oxide), FTO(F-doped SnO2), GZO(Ga-doped ZnO), ZTO(zinc tin oxide), GIO(gallium indium oxide), ZnO, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종의 투명 전극인 것인 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
8 8
제1항에 있어서,상기 트랜지스터의 포화영역 이동도(saturation mobility)는 4cm2/Vs 이상인 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
9 9
기판;상기 기판의 상부에 형성된 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극의 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0
10 10
기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상부에 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0
11 11
기판을 형성하는 단계;상기 기판의 상부에 형성된 소스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극의 상부에 형성되고 인듐(In), 알루미늄(Al), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IAZO 박막으로서, 상기 알루미늄(Al)의 함량이 0
12 12
제1항, 제4 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 투명 박막 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.