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박막트랜지스터 소자의 제조방법에 있어서,ITO(Indium Tin Oxide)가 코팅된 유리 기판에 게이트 전극으로 사용될 부분을 제외한 부분을 사진식각공정에 따라 제거하는 사진식각공정단계(S110),포토레지스터를 도포한 후, 마스크를 씌우고 패턴을 형성하고자 하는 부분에 유브이 광을 조사한 후 현상액에 담궈 현상하여 유브이 광에 노광된 부분의 포토레지스터를 제거하는 포토레지스터제거단계(S120),ITO(Indium Tin Oxide) 식각 용액을 이용하여 원하지 않는 부분의 ITO를 식각하고 남아 있는 포토레지스터를 아세톤 용액으로 제거하여 전극을 형성하는 전극형성단계(S130)를 포함하여 이루어지는 전극층형성단계(S100);HfO2 물질과 Ti 물질을 이용하여 증착시켜 절연층을 형성하는 절연층형성단계(S200);상기 절연층 위에 IZO 박막을 증착하여 활성층을 형성하는 활성층형성단계(S300);상기 활성층 위에 IZO 박막을 증착하여 소스 전극층과 드레인 전극층 및 게이트 전극층을 형성하는 소스/드레인/게이트전극형성단계(S400);를 포함하여 이루어지는 산화물 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층형성단계(S200)에서,HfO2 물질의 증착 RF-파워는 100W이며, Ti 물질의 증착 RF-파워는 170W 혹은 250W 인 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층형성단계(S200)에서,형성되는 절연층은 HfTiO 를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층형성단계(S200)에서,HfTiO 박막 증착 RF-power를 조절하여 소자에 흐르는 전류의 양을 제어하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 절연층형성단계(S200)는,co-sputter 방법을 이용하여 HfTiO 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터 소자의 제조방법
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박막트랜지스터 소자에 있어서,하부기판(100);하부기판 상단에 형성되는 전극층(200);활성층의 채널 영역에 대응되는 영역을 가지도록 상기 하부 기판상에 형성되는 게이트전극(300);HfO2 물질과 Ti 물질이 증착되어 형성되는 절연층(400);상기 절연층 위에 IZO 박막을 증착하여 형성되는 활성층(500);상기 활성층 위에 IZO 박막을 증착하여 형성되는 소스/드레인전극(600);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터 소자
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제 6항에 있어서,상기 소스/드레인전극(600)은,활성층을 사이에 두고 서로 분리되며, 상기 절연층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막트랜지스터 소자
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