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소정의 신호를 입력 받아 미리 정해진 트랜스컨덕턴스 값에 따라 증폭하여 증폭된 신호를 출력하는 증폭부;게이트는 상기 증폭부의 출력(Out)에 연결되고, 드레인이 전원(VDD)에 연결되는 NMOS 트랜지스터(MN2)와, 게이트는 상기 증폭부의 출력(Out)에 연결되고, 드레인이 접지에 연결되며, 소스는 상기 NMOS 트랜지스터(MN2)의 소스와 연결되는 PMOS 트랜지스터(MP2)를 포함하되, 상기 NMOS 트랜지스터(MN2)의 소스와 PMOS 트랜지스터(MP2)가 연결되는 노드에서 출력단을 구성하는 푸쉬-풀 소스팔로워부; 및서로 직렬로 연결되는 피드백 저항(RF) 및 피드백 커패시터(CF)를 포함하여 이루어지되, 상기 푸쉬-풀 소스팔로워부의 출력단에서의 출력을 상기 증폭부의 입력(IN)으로 제공하는 피드백부;를 포함하되,상기 푸쉬-풀 소스팔로워부는 상기 증폭부의 출력을 입력으로 제공받아 위상이 비반전되도록 신호를 출력하며, 상기 상기 푸쉬-풀 소스팔로워부의 출력단에서 출력되는 신호는 상기 증폭부에 입력되는 신호의 위상과 대비하여 반전 위상을 가지고 상기 피드백부를 통해 증폭부의 입력에 제공되어 부궤환을 구성하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 푸쉬-풀 소스팔로워부는,일단이 상기 증폭부의 출력(Out)에 연결되며 타단이 상기 NMOS 트랜지스터(MN2)의 게이트에 연결되는 커패시터(CN2)와, 일단이 상기 증폭부의 출력(Out)에 연결되며 타단이 상기 PMOS 트랜지스터(MP2)의 게이트에 연결되는 커패시터(CP2)를 더 포함하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 증폭부는,게이트에서 상기 신호를 입력받고 소스는 접지되며 공통 소스로 동작하는 트랜지스터로 이루어지는 공통 소스 증폭단(M11)과, 소스는 상기 공통 소스 증폭단(M11)의 드레인과 연결되고 공통 게이트로 동작하는 트랜지스터로 이루어지는 공통 게이트 증폭단(M12)을 포함하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 증폭부는,게이트는 상기 신호를 입력받고 소스가 일단이 전원(VDD)와 연결되는 저항(RP1)의 타단과 연결되는 PMOS 트랜지스터(MP1)와, 게이트는 상기 신호를 입력받고 소스가 일단이 접지와 연결되는 저항(RN1)의 타단과 연결되며 드레인은 상기 PMOS 트랜지스터(MP1)의 드레인과 연결되는 NMOS 트랜지스터(MN1)와, 일단이 상기 PMOS 트랜지스터(MP1)의 드레인 및 상기 NMOS 트랜지스터(MN1)의 드레인과 연결되며 타단이 상기 PMOS 트랜지스터(MP1)의 게이트 및 상기 NMOS 트랜지스터(MN1)의 게이트와 연결되는 저항(R1)을 포함하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 NMOS 트랜지스터(MN2)의 게이트는 일단이 바이어스 전압(VbiasN)과 연결된 저항(RN2)의 타단과 연결되어 상기 NMOS 트랜지스터(MN2)를 포화영역에서 동작시키도록 하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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제 1 항에 있어서, 상기 PMOS 트랜지스터(MP2)의 게이트는 일단이 바이어스 전압(VbiasP)과 연결된 저항(Rp2)의 타단과 연결되어 상기 PMOS 트랜지스터(MP2)를 포화영역에서 동작시키도록 하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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제 1 항에 있어서, 일단이 상기 피드백 저항(RF) 및 상기 피드백 커패시터(CF)와 직렬로 연결되며 타단이 상기 증폭부의 입력(IN)와 연결되는 인덕터(L)을 더 포함하는 것인 피드백을 이용한 저잡음 증폭 회로
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