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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상부에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 아연 전구체, 인듐 전구체 및 알루미늄 전구체가 용해된 전구체 용액을 도포하여 반도체 활성층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 활성층 상부에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 반도체 활성층을 형성하는 단계는,용매에 상기 아연 전구체, 상기 인듐 전구체 및 상기 알루미늄 전구체를 용해시켜 상기 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 상기 전구체 용액을 도포하는 단계; 및상기 도포된 전구체 용액을 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 전구체 용액은 스핀 코팅으로 상기 게이트 절연막 상부에 도포하며, 상기 스핀 코팅은 제1스핀 코팅 단계 및 상기 제1 스핀 이후의 제2스핀 코팅 단계를 포함하고,상기 제1스핀 코팅 단계에서의 스핀 속도는 상기 제2스핀 코팅 단계에서의 스핀 속도보다 느리며,상기 제1스핀 코팅 단계에서의 스핀 시간은 상기 제2스핀 코팅 단계에서의 스핀 시간보다 짧은,알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 전구체는, 징크 아세테이트(zinc acetate), 징크 아세테이트 다이하이드레이트(zinc acetate dihydrate), 징크 아세틸아세토네이트 하이드레이트(zinc acetylacetonate hydrate), 징크 카보네이트(zinc carbonate), 징크 클로라이드(zinc chloride) 및 징크 설페이트(zinc sulfate)로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는,알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 인듐 전구체는, 인듐 아세테이트(indium acetate), 인듐 아세테이트 하이드레이트(indium acetate hydrate), 인듐 아세틸아세토네이트(indium acetylacetonate), 인듐 부톡사이드(indium butoxide), 인듐 하이드록사이드 (indium hydroxide), 인듐 아이오다이드 (indium iodide), 인듐 나이트레이트(indium nitrate), 인듐 나이트레이트 하이드레이트(indium nitrate hydrate), 인듐 설페이트(indium sulfate), 인듐 설페이트 하이드레이트(indium sulfate hydrate) 및 인듐 옥사이드(indium oxide)로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는,알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 알루미늄 클로라이드, 알루미늄 클로라이드 하이드레이트, 알루미늄 클로라이드 헥사하이드레이트, 알루미늄 아세테이트, 알루미늄 아세틸아세토네이트, 알루미늄 부톡사이드, 알루미늄 에톡사이드, 알루미늄 플로라이드, 알루미늄 하이드록사이드, 알루미늄 아이오다이드, 알루미늄 이소프로폭사이드, 알루미늄 락테이트, 알루미늄 나이트레이트 모노하이드레이트, 및 알루미늄 포스페이트로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는,알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 전구체, 상기 아연 전구체 및 상기 인듐 전구체의 혼합시, 알루미늄 원자 대 아연 원자 및 인듐 원자의 몰 비가 0
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액의 용매는 2-메톡시에탄올(2-Methoxyethanol)을 포함하는,알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 용액은 모노에탄올아민(MEA)을 포함하는,알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 전구체, 상기 아연 전구체 및 상기 인듐 전구체의 혼합시, 알루미늄 원자, 아연 원자 및 인듐 원자의 몰 비가 0
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제1항에 있어서, 상기 도포된 전구체 용액을 열처리하는 단계는,상기 전구체 용액을 승온시키면서 임의의 설정 온도가 되도록 가열하는 가열 단계;상기 가열 단계 후, 상기 전구체 용액을 상기 설정 온도로 일정 시간 유지하는 유지 단계; 및상기 유지 단계 후, 상기 전구체 용액을 상온까지 냉각시키는 냉각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층 상부에 패시베이션층(passivation layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는, 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 패시베이션층은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는, 알루미늄-인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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