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유기막 및 상기 유기막 상에 배치되고 각각이 마이크로홀 또는 나노홀의 형태의 균일한 크기를 갖는 개구들이 형성된 패턴층을 포함하는 식각용 마스크를, 베이스 기판 상에 배치하는 단계;상기 식각용 마스크가 배치된 상태에서 플라즈마를 이용하여 상기 베이스 기판을 식각하여 다수의 포어들을 형성하는 단계; 및식각된 베이스 기판 상에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각용 마스크의 유기막은 상기 패턴층의 개구들에 의해 부분적으로 노출되고, 상기 플라즈마는 상기 유기막 및 상기 베이스 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각용 마스크의 유기막은 상기 개구들에 대응하는 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 패턴층은 금속 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각용 마스크는금속막을 준비하는 단계;상기 금속막을 양극 산화시켜 금속 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물층의 일부를 상기 금속막으로부터 분리하여 상기 유기막 상에 배치시키는 단계를 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 금속막으로부터 분리된 금속 산화물층이 상기 유기막 상에 배치된 상태에서, 진공 또는 감압 조건에서 상기 유기막의 유리전이온도 이상으로 상기 패턴층이 배치된 상기 유기막을 열처리하는 단계; 및열처리된 패턴층 및 상기 유기막을 냉각시키는 단계를 더 수행하여 상기 식각용 마스크를 제조하는 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 베이스 기판은 고분자로 형성된 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속층은금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 철(Fe), 코발트(Co), 주석(Sn), 아연(Zn), 티타늄(Ti) 및 이들 중 하나 이상을 포함하는 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,표면증강라만산란 활성기판의 제조 방법
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