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질소함유 헤테로고리 화합물 및 아민계 화합물 중 적어도 어느 하나와 암모늄염 및 트리알킬 오르소포르메이트(trialkyl orthoformate)를 반응시켜 알킬화된 질소를 포함하는 헤테로고리 화합물 또는 알킬화된 질소를 포함하는 아민계 화합물을 제조하는 단계를 포함하는,알킬화된 질소를 포함하는 헤테로고리 화합물 또는 알킬화된 질소를 포함하는 아민계 화합물이 양이온으로서 상기 암모늄염을 구성하는 음이온과 결합된 화합물을 포함하는 이온성 액체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 질소 함유 헤테로고리는이미다졸계 고리, 피리딘계 고리, 피롤리딘계 고리, 티아졸계 고리, 옥사졸계 고리, 피라졸계 고리(pyrazole-based ring) 및 이소퀴놀린계 고리 중 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,이온성 액체의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 질소 함유 헤테로고리 화합물은 하기 화학식 1로 나타내고,상기 이온성 액체는 하기 화학식 2로 나타내는 것을 특징으로 하는,이온성 액체의 제조 방법;[화학식 1] [화학식 2] 화학식 1 및 2에서,Ar은 Q1가 -N= 또는 -NR2-을 나타내는 탄소수 3 내지 10을 갖는 헤테로아릴 고리 또는 헤테로시클릭 고리를 나타내고,R1은 알킬기를 나타내고,R2는 수소, 알킬기, 알릴기, 비닐기 또는 아릴기를 나타내며,X는 Cl, Br, I, BF4, PF6, SbF6, 비스(트리플루오로메틸)술포닐이미드, 트리플루오로메탄술포네이트, 톨루엔술포네이트 또는 NO3를 나타내고,Ar의 1개 이상의 수소 원자는 각각 독립적으로 알킬기 또는 에스테르기로 치환될 수 있다
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제3항에 있어서,상기 화학식 1로 나타내는 화합물은하기 화학식 3 내지 화학식 10으로 나타내는 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,이온성 액체의 제조 방법;[화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] [화학식 9] [화학식 10] 화학식 3 내지 10에서, Q2는 S, O 또는 NR19를 나타내고,R3 내지 R19는 각각 독립적으로 수소, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다
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제1항에 있어서,상기 암모늄염은, 약 배위 음이온염 화합물임을 특징으로 하는,이온성 액체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 암모늄염은, Cl, Br, I, BF4, PF6, SbF6, 비스(트리플루오로메틸)술포닐이미드, 트리플루오로메탄술포네이트, 톨루엔술포네이트 또는 NO3로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 하나의 음이온을 포함하는 암모늄염임을 특징으로 하는,이온성 액체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 알킬화된 질소를 포함하는 헤테로고리 화합물을 제조하는 단계는물이 없는 환경 수행되고 별도의 탈수 공정을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는,이온성 액체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 알킬화된 질소를 포함하는 헤테로고리 화합물을 제조하는 단계는 원팟(one-pot) 반응인 것을 특징으로 하는,이온성 액체 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 아민계 화합물은 하기 화학식 11로 나타내고,상기 알킬화된 질소를 포함하는 아민계 화합물은 하기 화학식 12로 나타내는 것을 특징으로 하는,이온성 액체 제조 방법;[화학식 11] [화학식 12] 화학식 11 및 12에서, R20 내지 R22는 각각 독립적으로 수소, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고,R23은 알킬기를 나타내며,X는 Cl, Br, I, BF4, PF6, SbF6, 비스(트리플루오로메틸)술포닐이미드, 트리플루오로메탄술포네이트, 톨루엔술포네이트 또는 NO3를 나타낸다
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