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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상부에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 인듐 전구체, 염소 불함유 제1 아연 전구체 및 염소 함유 제2 아연 전구체가 용해된 전구체 용액을 도포하여 반도체 활성층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 활성층 상부에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 활성층을 형성하는 단계는,용매에 상기 인듐 전구체, 상기 염소 불함유 제1 아연 전구체 및 상기 염소 함유 제2 아연 전구체를 용해시켜 상기 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 게이트 절연막 상부에 상기 전구체 용액을 도포하는 단계; 및상기 도포된 전구체 용액을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제2에 있어서, 상기 제1 아연 전구체는 징크 아세테이트(zinc acetate), 징크 아세테이트 다이하이드레이트(zinc acetate dihydrate), 징크 아세틸아세토네이트 하이드레이트(zinc acetylacetonate hydrate), 징크 카보네이트(zinc carbonate) 및 징크 설페이트(zinc sulfate)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 제2 아연 전구체는 징크 클로라이드(zinc chloride)를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 아연 전구체와 상기 제2 아연 전구체는 1:0
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제2항에 있어서, 상기 전구체 용액은 스핀 코팅 또는 프린팅의 방법으로 상기 게이트 절연막 상부에 도포되는 것을 특징으로 하는 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 도포된 전구체 용액을 열처리하는 단계는,상기 전구체 용액이 도포된 기판을 400℃ 내지 500℃의 최고 열처리 온도까지 일정한 속도로 승온시키면서 가열하는 단계;상기 최고 열처리 온도에서 상기 전구체 용액이 도포된 기판을 0
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게이트 전압이 인가되는 게이트 전극, 상기 게이트 전압에 따라 채널을 형성하는 반도체 활성층, 상기 게이트 전극과 상기 반도체 활성층 사이에 위치하는 게이트 절연막, 그리고 상기 반도체 활성층에 전기적으로 연결되고 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터에 있어서, 상기 반도체 활성층은 염소가 1
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제7항에 있어서, 상기 반도체 활성층의 두께는 10 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 인듐 아연 산화물 반도체 박막트랜지스터
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