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액정 표시 장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2017005107
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위에 무기막을 적층하는 단계, 그리고 상기 무기막 위에 마스크를 배치시키고 이온 빔을 복수의 방향에서 조사하여 상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계를 포함하며, 상기 이온 빔의 조사 시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리는 100㎛이하이다. 이렇게 하면 배향 불량 영역을 줄여 표시 불량을 방지할 수 있다.액정 표시 장치, 배향막, 무기막, 이온 빔 배향 방법
Int. CL G02F 1/1337 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080030251 (2008.04.01)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1448007-0000 (2014.09.30)
공개번호/일자 10-2009-0105019 (2009.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20141008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노순준 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김장섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 전백균 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 이희근 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 김재창 대한민국 부산광역시 동래구
6 윤태훈 대한민국 부산광역시 해운대구
7 손필국 대한민국 부산 수영구
8 조봉균 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0236389-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742763-17
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0143894-96
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0003525-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0066616-62
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0260872-93
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0260868-10
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0515483-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 복수의 박막트랜지스터, 상기 복수의 박막트랜지스터 위에 각각 형성된 복수의 화소 전극,상기 화소 전극 위에 적어도 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역이 형성된 제1 무기 배향막,상기 제1 기판에 대응하는 제2 기판,상기 제2 기판 위에 형성된 공통 전극,상기 공통 전극 위에 적어도 상기 제1 무기 배향막의 배향 방향과 다른 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역이 형성된 제2 무기 배향막을 포함하고,상기 제1 무기 배향막의 상기 적어도 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역들 사이 및 상기 제2 무기 배향막의 상기 2개 이상의 배향 방향을 갖는 배향 영역들 사이에 위치하는 배향 불량 영역의 너비는 20㎛이하인 액정 표시 장치
2 2
제1항에서,상기 제1 무기 배향막은 하나의 화소 내에 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치
3 3
제1항에서,상기 제2 무기 배향막은 하나의 화소 내에 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치
4 4
제1항에서,상기 제1 무기 배향막은 서로 다른 화소에 형성되어 있는 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치
5 5
제1항에서,상기 제2 무기 배향막은 서로 다른 화소에 형성되어 있는 서로 다른 배향 영역을 포함하는 액정 표시 장치
6 6
제1항에서, 상기 제1 및 제2 무기 배향막의 이온빔의 조사각도는 수평면에 대하여 60도 내지 85도인 액정 표시 장치
7 7
제6항에서,상기 이온빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 2
8 8
제1항에서,상기 제1 및 제2 무기 배향막의 두께는 50nm로 하는 액정 표시 장치
9 9
제8항에서,상기 제1 및 제2 무기 배향막은 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 액정 표시 장치
10 10
제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,상기 화소 전극 위에 무기막을 적층하는 단계, 그리고상기 무기막 위에 마스크를 배치하고 이온 빔을 조사하여 상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계를 포함하고, 상기 이온 빔의 조사시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리가 20㎛ 내지 100㎛ 인 액정 표시 장치의 제조 방법
11 11
제10항에서,상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계는상기 제1 배향막을 제1 및 제2 스트라이프 영역을 포함하는 복수의 스트라이프 영역으로 구분하고, 상기 제1 스트라이프 영역에 스트라이프 형성 방향과 평행한 제1 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계,상기 제1 스트라이프 영역과 인접한 상기 제2 스트라이프 영역에 상기 제1 방향과 반대 방향인 제2 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
12 12
제11항에서,상기 제1 스트라이프 영역과 제2 스트라이프 영역은 하나의 화소 내에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법
13 13
제11항에서,상기 제1 스트라이프 영역과 제2 스트라이프 영역은 서로 다른 화소에 각각 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법
14 14
삭제
15 15
제10항에서,상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계에서 상기 이온 빔의 조사 각도는 60°내지 85°인 액정 표시 장치의 제조 방법
16 16
제15항에서,상기 무기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계에서 상기 이온 빔의 에너지는 50eV 내지 70eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 2
17 17
제15항에서,상기 무기막의 적층 단계에서, 상기 무기막은 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착되며, 증착 온도는 75℃ 내지 300℃인 액정 표시 장치의 제조 방법
18 18
제17항에서,상기 무기막의 두께는 50nm로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법
19 19
제18항에서,상기 무기막은 산화규소 또는 질화규소를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
20 20
제10항에서,상기 이온 빔 소스는 CHC형의 이온 빔 소스인 액정 표시 장치의 제조 방법
21 21
제10항에서,상기 이온 빔은 아르곤 이온을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
22 22
제10항에서,상기 제1 기판과 마주하고 있는 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계;상기 공통 전극 위에 무기막을 적층하는 단계;상기 무기막을 이온 빔을 조사하여 제2 배향막으로 변환하는 단계;상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 사이에 액정층을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
23 23
제22항에서,상기 무기막을 제2 배향막으로 변환하는 단계는상기 제2 배향막을 제3 및 제4 스트라이트 영역을 포함하는 복수의 스트라이프 영역으로 구분하고, 상기 제3 스트라이프 영역에 스트라이프 형성 방향과 평행한 제3방향으로 이온 빔을 조사하는 단계, 상기 제3 스트라이프 영역과 인접한 상기 제4 스트라이프 영역에 상기 제3 방향과 반대의 방향인 제4 방향으로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
24 24
제23항에서,상기 제3 스트라이프 영역과 제4 스트라이프 영역은 하나의 화소 내에 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법
25 25
제23항에서,상기 제3 스트라이프 영역과 제4 스트라이프 영역은 서로 다른 화소에 각각 형성되는 액정 표시 장치의 제조 방법
26 26
제22항에서,상기 액정층은 좌상(左上), 좌하(左下), 우상(右上) 및 우하(右下) 방향으로 배향되는 복수의 도메인을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
27 27
제10항에서,상기 이온 빔의 조사 시 상기 무기막과 상기 마스크 사이의 거리가 50㎛이하인 액정 표시 장치의 제조 방법
28 28
제10항에서,상기 마스크는 상기 이온 빔이 통과하는 개구부를 가지며, 상기 개구부의 폭은 100㎛ 내지 2000㎛인 액정 표시 장치의 제조 방법
29 29
제28항에서,상기 마스크는 스테인레스 또는 알루미늄으로 만들어지는 액정 표시 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08199293 US 미국 FAMILY
2 US20090244461 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009244461 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8199293 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.