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내부가 수직으로 뚫린 개구부(開口部) 형태의 외곽 지지체;상기 외곽 지지체의 내부에 위치하여 상기 외곽 지지체에 둘러싸인 질량체(mass);상기 질량체의 제1 측면과 상기 외곽 지지체를 연결하여 스프링 역할을 하는 2개의 제1 힌지 쌍;상기 질량체의 상기 제1 측면의 반대 쪽의 제2 측면과 상기 외곽 지지체를 연결하여 스프링 역할을 하는 2개의 제2 힌지 쌍;상기 질량체의 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 사이에 위치하는 제3 측면과 상기 외곽 지지체 사이에 연결되는 2개의 제1 압저항체 쌍; 및상기 질량체의 상기 제3 측면의 반대 쪽의 제4 측면과 상기 외곽 지지체 사이에 연결되는 2개의 제2 압저항체 쌍을 포함하여 이루어지고,상기 압저항체는,상기 외곽 지지체와 상기 질량체의 사이에 박막 형태로 형성되고,외부로부터 충격을 받으면 상기 질량체의 움직임에 따른 상기 압저항체의 저항 변화를 통해 상기 충격의 크기를 측정하는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 가속도계는,실리콘 재질로 이루어지며, 상기 실리콘 재질을 이용한 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 공정을 통해 제작되는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 외곽 지지체는,사각형의 구조로, 상기 외곽 지지체의 크기는 가로와 세로가 1~10 ㎜이며 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 질량체와 상기 힌지의 두께는 상기 외곽 지지체의 두께와 같은 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 외곽 지지체는 사각형의 구조로 이루어지고,상기 질량체는 상기 외곽 지지체보다 작은 사각형의 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 압저항체는,상기 질량체의 서로 대칭이 되는 양쪽에 각각 2개씩 위치하되, 상기 2개의 압저항체가 상기 외곽 지지체와 상기 질량체의 일 표면에 모두 형성되는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 압저항체는,상기 질량체의 서로 대칭이 되는 양쪽에 각각 2개씩 위치하되, 상기 2개의 압저항체가 상기 외곽 지지체와 상기 질량체의 일 표면과 다른 표면에 하나씩 형성되는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 압저항체는,휘스톤브릿지(Wheatstone Bridge) 회로로 등가되는 형태의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항에 있어서,상기 압저항체는,상기 외곽 지지체와 상기 질량체의 사이에 0
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제1항에 있어서,상기 압저항체는,CMOS(상보성 금속 산화물 반도체) 공정을 통해 박막 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 압저항형의 가속도계
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제1항 내지 제5항, 제8항 내지 제10항, 제12항 또는 제13항 중 어느 한 항의 가속도계를 포함하고,상기 가속도계를 통해 측정된 충격 크기를 기준으로 기 정의된 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 장치
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