맞춤기술찾기

이전대상기술

DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2017005150
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 필름 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성된 미세 패턴층을 형성하는 단계, UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성되는 단계, 상기 미세 패턴층을 제거하는 단계, 상기 필름 및 상기 패턴이 형성된 포토레스트층 상에 DLC층을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 포토 마스크 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법은 미세패턴 구현이 가능하고, 광차단막 두께가 150nm이하로 구현되기 때문에 패턴측벽의 CD(Critical Dimension)를 균일하게 구현할 수 있다.
Int. CL G03F 1/68 (2012.01) G03F 1/38 (2012.01)
CPC G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01)
출원번호/일자 1020120116898 (2012.10.19)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1467633-0000 (2014.11.25)
공개번호/일자 10-2014-0050456 (2014.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20141204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.19)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김태규 대한민국 대구광역시 수성구
2 권영우 대한민국 경상남도 밀양시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김대현 대한민국 경상남도 창원시 성산구 창원대로 *** (외동, 한국산업단지공단 동남지역본부) *층 칸특허법률사무소(칸특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0854428-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0065065-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0786998-30
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0023625-85
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0023641-16
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0333772-62
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0646426-96
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0646450-82
11 등록결정서
Decision to grant
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0667377-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
필름 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층 상에 미세 패턴층을 형성하는 단계;UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성되는 단계;상기 미세 패턴층을 제거하는 단계;상기 필름 및 상기 패턴이 형성된 포토레스트층 상에 SiH4 및 Ar 기체 플라즈마를 이용하여 전처리 후에 DLC층을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 필름은 투과도가 90% 이상인 PET(Polyethylene terephthalate)인 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 포토레지스트층에 사용되는 감광제는 점도 CP 20이하인 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법
6 6
제 3 항에 있어서,상기 DLC층 형성 단계에서 형성되는 상기 DLC층의 두께는 상기 포토레지스트층의 두께보다 0
7 7
삭제
8 8
제 3 항에 있어서,상기 SiH4 : Ar 기체 혼합비율이 1 : 100 인 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법
9 9
제 3 항에 있어서,상기 DLC층 형성단계는 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System, PECVD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.