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습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법에 있어서,금속 콜로이드 용액 및 세라믹 콜로이드 용액을 각각 제조하는 단계와;상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 코팅대상 기판 상에 코팅하는 단계와;상기 기판 상에 코팅된 상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 열건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 코팅대상 기판 상에 코팅하는 단계는,상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 혼합하여 혼합액을 형성하고, 상기 혼합액을 상기 기판 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 코팅대상 기판 상에 코팅하는 단계는,상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 교대로 코팅하여 다층 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 코팅대상 기판 상에 코팅하는 단계는,상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 교대로 코팅하여 다층 코팅층을 형성하는 단계와;상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 혼합하여 혼합액을 형성하고, 상기 혼합액을 상기 다층 코팅층의 상부에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 3 및 4항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,상기 금속 콜로이드 용액 및 상기 세라믹 콜로이드 용액을 혼합할 때, 각 용액 간 pH 차이는 1 이하인 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 코팅대상 기판 상에 코팅하는 단계 이후에,상기 기판의 최상부에 세라믹 콜로이드 용액을 추가 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 콜로이드 용액은, 금속 나노입자가 분산되어 있는 용액 또는 열건조를 통해 금속 나노입자로 형성되는 금속 나노입자 전구체를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 금속 콜로이드 용액은, 은(Ag) 나노입자 또는 은 나노입자 전구체를 포함하며,상기 은 나노입자 전구체는 실버 나이트레이트(silver nitrate, AgNO3), 실버 아세테이트(silver acetate, AgCOOCH3) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 금속 콜로이드 용액은, 금(Au) 나노입자 또는 금 나노입자 전구체를 포함하며,상기 금 나노입자 전구체는 염화금산(chloroauric acid, HAuCl4), 골드 싸이오레이트(gold thiolate) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 세라믹 콜로이드 용액은, 세라믹 전구체를 이용하여 졸-겔(sol-gel) 반응을 통해 형성된 세라믹 나노입자를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 졸-겔 반응은 산성 조건 하에서 일어나며, 산성 조건에 의해 비입자형 세라믹 구조인 세라믹 콜로이드 용액이 형성되는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 졸-겔 반응은 염기성 조건 하에서 일어나며, 염기성 조건에 의해 세라믹 나노입자 콜로이드 용액이 형성되는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 세라믹 전구체는,3가 알콕시 실란 또는 4가 알콕시 실란이며,3가 알콕시 실란은 트리메톡시실란(trimethoxysilane), 트리에톡시실란(triethoxysilane), 트리-n-프로폭시실란(tri-n-propoxysilane), 트리이소프로폭시실란(triisopropoxysilane), 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane), 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane), 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane), 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane), 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(3-glycidoxypropyltrimethoxysilane)으로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 것이며, 4가 알콕시 실란은 테트라메톡시실란(tetramethoxysilane), 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane), 테트라프로폭시실란(tetrapropoxysilane), 테트라이소프로폭시실란(tetraisopropoxysilane), 테트라부톡시실란(tetrabutoxysilane), 테트라페녹시실란(tetraphenoxysilane), 테트라아세톡시실란(tetraacethoxysilane)으로 이루어진 군 및 이의 혼합물 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 세라믹 나노입자는, 실리카(SiO2), 지르코니아(ZrO), 틴옥사이드(SnO2), 티타니아(TiO2) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열건조하는 단계는,100 내지 250℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막 제조방법
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습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막에 있어서,기판과;습식 공정에 의해 금속 나노입자와 세라믹 나노입자가 서로 혼합된 상태로 형성되는 금속/세라믹 복합층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막
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제 16항에 있어서,상기 기판 및 상기 금속/세라믹 복합층 사이에 금속 나노입자층과 세라믹 나노입자층이 교대로 형성되는 다층 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막
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제 16항에 있어서,상기 금속/세라믹 복합층 상부에는 세라믹 나노입자층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막
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제 16항에 있어서,상기 금속 나노입자는 은이며, 상기 세라믹 나노입자는 실리카인 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막
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제 16항에 있어서,상기 금속 나노입자 및 상기 세라믹 나노입자 중 적어도 어느 하나는 1 내지 100nm의 직경으로 이루어진 것을 특징으로 하는 습식 공정을 이용한 고효율 태양열 흡수체 박막
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