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입력되는 전압에 따라 내부에 포함된 렌즈를 이동시키거나, 렌즈 자체를 변형시키는 적어도 하나 이상의 광학소자들; 및상기 내부에 포함된 렌즈의 이동 또는 상기 렌즈 자체의 변형에 따라 서로 다른 화각 또는 초점을 갖는 복수의 이미지들을 획득하는 이미지 센서;를 포함하는 촬상 장치
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제 1항에 있어서, 광학소자는,적어도 하나 이상의 렌즈;상기 적어도 하나 이상의 렌즈에 연결되고 상기 적어도 하나 이상의 렌즈의 움직임을 제어하는 연결부; 및상기 연결부를 지지하는 고정부;를 포함하는 촬상 장치
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제 2항에 있어서, 상기 연결부는,유전성 물질을 포함하는 변형부;상기 변형부에 부착되는 전극;을 더 포함하는 촬상 장치
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제 3항에 있어서, 상기 변형부는,상기 전극에 인가되는 전압에 의해 형성되는 전기장의 세기에 따라 늘어나거나 수축하는 촬상 장치
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제 3항에 있어서, 상기 변형부는,전기 활성 고분자로 구성된 고분자 막 형태인 촬상 장치
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제 3항에 있어서, 상기 변형부는,폴리디메틸록산으로 구성되는 촬상 장치
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제 3항에 있어서, 상기 변형부는,전기유변유체, 탄소나노튜브, 전도성 고분자, 이온성 고분자 금속 복합체, 고분자겔, 액정 탄성체, 전기 점탄성 탄성체, 전기 변형 고분자, 전기 변형 가지형 탄성체, 유전탄성체 및 강유전성 고분자 중 적어도 어느 하나를 포함하는 촬상 장치
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제 2항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 렌즈는,유전성 물질로 구성되고, 내부에 투명한 전극을 포함하는 촬상 장치
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제 8항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 렌즈는 내부에 투명한 전극을 포함하는 촬상 장치
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제 1항에 있어서,전하 결합 소자(Charge Coupled Device, CCD) 이미지 센서 또는 상보성 금속 산화물 반도체(Complementary Metal-Oxide Semiconductor, CMOS) 이미지 센서 중 어느 하나인 촬상 장치
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제 10항에 있어서,상기 광학 소자 및 상기 이미지 센서를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 촬상 장치
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제 11항에 있어서, 상기 제어부는,상기 광학 소자에 포함된 상기 적어도 하나 이상의 렌즈 중 초점 조절 렌즈의 동작 범위를 설정하는 초점 설정부; 및상기 광학 소자에 포함된 상기 적어도 하나 이상의 렌즈 중 화각 조절 렌즈의 동작 범위를 설정하는 화각 설정부;를 포함하는 촬상 장치
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제 12항에 있어서, 상기 제어부는,상기 초점 설정부 및 상기 화각 설정부가 설정한 상기 동작 범위에 따라 상기 광학 소자에 인가할 전압을 결정하고, 결정된 상기 전압을 인가하는 촬상 장치
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제 11항에 있어서,상기 이미지 센서가 획득한 상기 서로 다른 화각 또는 초점을 갖는 복수의 이미지들을 상기 촬상 장치가 한 주기당 촬영할 이미지들 수인 프레임별로 각각 저장하는 저장부를 더 포함하는 촬상 장치
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렌즈, 상기 렌즈에 연결되고 상기 렌즈의 움직임을 제어하는 연결부 및 상기 연결부를 지지하는 고정부를 포함하는 촬상 장치의 동작 방법에 있어서,상기 연결부에 포함된 전극에 인가되는 전압에 따라 이동하는 상기 렌즈의 동작 범위를 설정하는 단계;한 주기당 촬영할 상기 촬상 장치의 프레임 수를 결정하는 단계; 및상기 렌즈의 이동에 따라 상기 프레임 수에 해당하는 복수의 이미지들을 획득하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 이미지들은 서로 다른 화각 또는 초점을 갖는 촬상 장치의 동작 방법
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