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하기 화학식 1로 표시되는 수화물 중 적어도 1종, 상기 화학식 1로 표시되는 수화물의 표면에 불연속적인 아일랜드 형상으로 위치하는 산화 그래핀, 및 상기 화학식 1로 표시되는 수화물의 표면, 및 상기 불연속적인 아일랜드 형상으로 위치하는 산화 그래핀의 표면에 각각 위치하는 실리카 2차 입자를 포함하고,상기 실리카 2차 입자는 다수의 실리카 나노 입자가 응집된 형태인 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막:[화학식 1]Xn-M-(OH)4-n 상기 화학식 1에서,M은 Si, Ti, Ag, Sn, In, Zn, 및 이들의 조합에서 선택되고,X는 에폭시기, 글리시독시기, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 아미노기, 티올기, 인산기, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 케톤기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 설퍼기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 실릴기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기;에폭시기, 글리시독시기, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 아미노기, 티올기, 인산기, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 케톤기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 설퍼기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 실릴기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기; 또는에폭시기, 글리시독시기, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 아미노기, 티올기, 인산기, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 케톤기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 설퍼기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 실릴기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기이고,n은 1 내지 3의 정수 중 하나이다
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2
제1항에서,상기 화학식 1로 표시되는 수화물, 및 상기 실리카 2차 입자가 결합된 제1영역; 그리고상기 화학식 1로 표시되는 수화물, 산화 그래핀, 및 실리카 2차 입자가 결합된 제2 영역을 포함하는 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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3
제2항에서,상기 제1 영역의 실리카 2차 입자의 평균 직경은 5 nm 내지 50 nm이고,상기 제2 영역의 실리카 2차 입자의 평균 직경은 5 nm 내지 25 nm인 산화그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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4
제1항에서,상기 실리카 나노 입자의 평균 직경은 5 nm 내지 30 nm인 산화그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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5
제1항에서,상기 산화 그래핀의 두께는 0
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6
제1항에서,상기 산화 그래핀의 장축 길이는 100 nm 내지 10 ㎛이고,단축 길이는 100 nm 내지 5 ㎛인 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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7
제1항에서,상기 산화 그래핀의 함량은 상기 화학식 1로 표시되는 수화물, 상기 산화 그래핀, 및 상기 실리카 나노 입자의 총 중량에 대하여 0
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8
제1항에서,투과율이 70% 이상일 때, 상기 산화 그래핀의 함량은 상기 화학식 1로 표시되는 수화물, 상기 그래핀, 및 상기 실리카 나노 입자의 총 중량에 대하여 0
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9
제1항에서,100 nm 내지 2 ㎛의 두께를 갖는 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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10
제1항에서,투과율이 70% 이상일 때, 200 nm 내지 500 nm의 두께를 갖는 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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11
제1항에서,상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-3 중 어느 하나로 표시되는 산화그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막:[화학식 1-1]X1-M-(OH)3[화학식 1-2]X1X2-M-(OH)2[화학식 1-3]X1X2X3-M-(OH)상기 화학식 1-1 내지 1-3에서,M은 Si, Ti, Ag, Sn, In, Zn, 및 이들의 조합에서 선택되고,X1 내지 X3은 각각 독립적으로, 에폭시기, 글리시독시기, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 아미노기, 티올기, 인산기, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 케톤기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 설퍼기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 실릴기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기;에폭시기, 글리시독시기, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 아미노기, 티올기, 인산기, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 케톤기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 설퍼기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 실릴기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐기; 또는에폭시기, 글리시독시기, 비닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 카르복실기, 아미노기, 티올기, 인산기, 플루오로기, 클로로기, 브로모기, 요오드기, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 케톤기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 설퍼기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 에스테르기, 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 실릴기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기이다
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12
제1항에서,상기 M은 Si 또는 Ti인 산화 그래핀 함유 유-무기 세라믹 하이브리드 코팅막
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13
제1항에서,무기계 파우더, 유기 첨가제, 또는 이들의 조합에서 선택된 첨가제를 더 포함하는 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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14
제13항에서,상기 무기계 파우더의 평균 직경은 5 nm 내지 50 nm인 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막
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15
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16
삭제
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17
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22
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23
제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 산화 그래핀 함유 유-무기 하이브리드 코팅막을 포함하는 자동차 헤드 램프
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