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결정성 비스무스 나노입자 어레이와 이의 제조방법(Crystalline bismuth nanoparticle arrays, and preparing method thereof using magnetically assisted growth of Bi nanoparticles)

  • 기술번호 : KST2017005287
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘(Si) 기판을 진공 챔버에 위치시키는 단계, 상기 실리콘 기판에 Bi와 Co를 타겟 물질로 이용하여 동시증착시켜 증착 필름을 형성시키는 단계를 포함하는 비스무스(Bi)와 코발트(Co)를 타겟 물질로 이용하여 동시증착(co-sputtering)시켜 제조된 것을 특징으로 하는 결정성 비스무스(Bi) 나노입자 어레이와 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 Bi 나노입자의 자기보조성장법(MAGBIN)을 이용하여 입자크기와 밀도 및 모폴로지의 조절이 가능한 결정성Bi 나노입자 어레이를 제조하였다. 본 발명에서는 Bi와 Co를 타겟 물질로 이용하여 동시증착(co-sputtering)시키고, 상기 두 타겟 물질의 상대적인 파워 비율, 기판 온도, 및 증착 시간을 조절함으로써 Bi 나노입자의 크기와 모폴로지를 조절할 수 있다. 본 발명의 MAGBIN는 결정성 Bi 나노입자 어레이를 간편하게 합성할 수 있으며, 어떤 화학물질들이나, 복잡한 공정 또는 리소그라피 등을 필요치 않기 때문에 산업상으로 유용하게 이용될 수 있다.
Int. CL H01L 35/18 (2006.01.01) H01L 35/02 (2006.01.01) H01L 35/14 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01) H01L 35/18(2013.01)
출원번호/일자 1020150119739 (2015.08.25)
출원인 가천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0024450 (2017.03.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 대한민국 경기도 성남시 수정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노진서 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이수찬 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 가천대학교 산학협력단 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0825420-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.12.13 수리 (Accepted) 9-1-2016-0050868-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0904345-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0155611-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0252028-56
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0252029-02
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0520145-01
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0739817-07
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0739816-51
11 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0751507-30
12 등록결정서
Decision to grant
2017.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0738238-49
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번호 청구항
1 1
비스무스(Bi)와 코발트(Co) 타겟에 전력을 인가하여 실리콘 기판에 동시증착(co-sputtering)시켜 비스무스(Bi) 단독 성분으로 이루어지며, 발달된 헥사고날 구조를 가지는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이를 형성시키는 단계; 로 구성되는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판에 증착되는 코발트(Co) 입자에 비스무스(Bi) 입자를 충돌시켜 코발트(Co)입자를 퉁겨내는 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 나노입자 어레이를 형성시키는 단계는,상기 실리콘 기판을 일정한 온도로 가열시키는 제1단계와,타겟 물질인 비스무스(Bi)와 코발트(Co)에 파워를 인가하여 상기 실리콘 기판에 코발트(Co) 덩어리와 비스무스(Bi) 입자가 자기적 상호작용으로 서로 분리되어 각각 독립된 덩어리로 형성되도록 증착시키는 제2단계와,상기 제2단계 이후에 타겟 물질인 비스무스(Bi)와 코발트(Co)에 연속적으로 파워를 인가하여 상기 코발트(Co) 덩어리에 비스무스(Bi) 입자를 계속 충돌시켜 코발트(Co) 입자를 퉁겨내는 백-스퍼터링(back-sputtering) 제3단계와,타겟 물질인 비스무스(Bi)와 코발트(Co)에 계속 파워를 인가하여 상기 실리콘 기판에 증착된 입자들 중에 작은 비스무스(Bi)입자를 큰 비스무스(Bi) 입자로 확산시켜 전체 비스무스(Bi) 입자의 표면에너지를 감소시킴으로써 비스무스(Bi) 단독 성분으로 이루어지는 6각형 형태를 가지는 나노입자 어레이를 형성시키는 제4단계로 구성되며,상기 제3단계와 제4단계 간에는 서로 시간적 선후 관계는 없는 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제1단계에서 실리콘 기판의 가열 온도는 섭씨 200도 내지 섭씨 300도이며, 상기 제1단계에서 가열 온도를 30분 이상 유지하여 실리콘 기판의 온도가 일정하게 유지되도록 안정시키는 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1단계에서 실리콘 기판의 가열 온도를 높이거나 낮춤으로써 상기 제4단계에서 나노입자의 크기를 증가시키거나 감소시키는 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
6 6
제3항에 있어서,상기 제1단계 내지 제4단계에서 타겟 물질인 비스무스(Bi)에 인가하는 전력은 30 내지 50 와트(W)이고, 상기 타겟 물질인 코발트(Co)에 인가하는 전력은 200 내지 300 와트(W)인 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 타겟 물질인 코발트(Co)에 인가하는 전력(PCo)에 대한 비스무스(Bi)에 인가하는 전력(PBi)의 비율인 PBi/PCo의 값을 높이거나 낮춤으로써 상기 실리콘 기판에 증착되는 비스무스(Bi) 나노입자의 크기를 크거나 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
8 8
제3항에 있어서,상기 제1단계 내지 제4단계를 모두 거치는 과정에서 소요되는 시간은 20초 내지 400초인 것을 특징으로 하는 비스무스(Bi) 나노입자 어레이의 제조방법
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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패밀리정보가 없습니다
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