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a)기재층 상에 할로겐화금속-이종분자 어덕트 및 할로겐화금속-이종분자 어덕트를 용해하는 용매를 함유하는 제1용액 또는 용매에 열역학적으로 결정질의 안정상 또는 결정질의 준안정상을 형성하는 몰비로 할로겐화금속과 이종분자가 용해된 제2용액을 도포하여, 할로겐화금속-이종분자 어덕트(adduct of halogenated metal and quest molecule)의 결정질 막인 전구체 막(adduct layer)을 형성하는 단계 및b)상기 전구체 막을 유기할로겐화물과 반응시켜 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막을 제조하는 단계를 포함하며,상기 전구체 막은 상기 할로겐화금속-이종분자 어덕트의 할로겐화금속과 상이한 결정상의 결정질 막인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,b) 단계에서, 상기 전구체 막에 함유된 이종분자와 상기 유기할로겐화물 간의 분자간 치환반응(intramolecular exchange)에 의해, 상기 전구체 막이 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막으로 전환되는 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 이종분자는 상기 할로겐화금속-이종분자 어덕트의 할로겐화금속을 용해하는 용매 또는 할로겐화수소인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 이종분자는 하기 관계식 1을 만족하는 물질인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,b) 단계는, 유기할로겐화물을 함유하는 제3용액을 전구체 막 상 도포하는 단계를 포함하는 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 할로겐화금속-이종분자 어덕트는 하기 화학식 1인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,기재층은 전자전달층 또는 정공전달층인 전하전달층을 포함하고,상기 전하전달층은 다공구조 또는 치밀구조인 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 유기할로겐화물은 화학식 2를 만족하는 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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제 1항에 있어서,b) 단계 후,c) 유기할로겐화물과 반응한 전구체 막을 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함하는 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막의 제조방법
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기재층 상에 위치하는 할로겐화금속-이종분자 어덕트(adduct of halogenated metal and heterogeneous molecule)의 결정질 막인 전구체 막(adduct layer)을 포함하되 상기 전구체 막은 상기 할로겐화금속-이종분자 어덕트의 할로겐화금속과 상이한 결정상의 결정질 막이며, 상기 전구체 막은 하기 화학식 2의 유기할로겐화물과 접촉하여, 상기 유기할로겐화물과 상기 전구체 막의 이종분자 간의 분자치환반응에 의해 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막으로 전환되는 태양전지용 복합구조체 (hybridized substrate)
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제 11항에 있어서,상기 전구체 막이 상기 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 화합물 막으로 전환되었을 때, 상기 전구체 막의 두께를 기준으로, 두께 변화가 20% 이하인 태양전지용 복합구조체
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제 11항에 있어서,상기 이종분자는 할로겐화금속을 용해하는 용매 또는 할로겐화수소인 태양전지용 복합구조체
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제 11항에 있어서,상기 기재층은 전자전달층 또는 정공전달층인 전하전달층을 포함하며, 상기 전하전달층은 다공구조 또는 치밀구조인 태양전지용 복합구조체
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제 11항에 있어서,상기 할로겐화금속-이종분자 어덕트는 상기 할로겐화금속과 이종 분자간 비공유 결합 화합물이며, 상기 결정질 막은 층상 구조의 할로겐화금속의 층간에 이종 분자가 삽입된 구조인 태양전지용 복합구조체
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