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탄소섬유를 금속 산화물 전구체층 형성용 용액에 침지한 후, 상기 탄소섬유 표면에 금속 산화물 전구체를 전착(Electrodeposition) 시켜 금속 산화물 전구체(Seed)층을 형성하는 단계; 그리고 상기 금속 산화물 전구체층이 형성된 탄소섬유에 마이크로파를 조사하여 금속 산화물을 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 금속 산화물 전구체층 형성용 용액은 수산화 칼륨(KOH), 수산화 칼슘(CaOH), 수산화 나트륨(NaOH) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 하이드록시기를 갖는 화합물을 포함하는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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탄소섬유 전구체 방사단계,상기 방사된 탄소섬유를 안정화 및 탄화시키는 단계,상기 안정화 및 탄화된 탄소섬유에 금속 산화물 전구체(Seed)층을 형성하는 단계, 및상기 금속 산화물을 성장시키는 단계를 포함하는 연속공정에 있어서,상기 금속 산화물 전구체층 형성 단계는 상기 탄소섬유를 금속 산화물 전구체층 형성용 용액에 침지한 후, 상기 탄소섬유 표면에 금속 산화물 전구체를 전착(Electrodeposition)시키는 것이고,상기 성장 단계는 금속 산화물 전구체 층이 형성된 탄소섬유에 마이크로파를 조사하여 금속 산화물을 성장시키는 것이고,상기 금속 산화물 전구체층 형성용 용액은 수산화 칼륨(KOH), 수산화 칼슘(CaOH), 수산화 나트륨(NaOH) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 하이드록시기를 갖는 화합물을 포함하는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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탄소섬유를 금속 산화물 전구체층 형성용 용액에 침지한 후,마이크로파를 조사하여 금속 산화물 전구체(Seed)층을 형성하는 단계; 그리고 상기 금속 산화물 전구체층이 형성된 탄소섬유 표면에 마이크로파를 조사하여 금속 산화물을 성장시키는 단계;를 포함하는 것인금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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탄소섬유 전구체 방사단계,상기 방사된 탄소섬유를 안정화 및 탄화시키는 단계,상기 안정화 및 탄화된 탄소섬유에 금속 산화물 전구체(Seed)층을 형성하는 단계, 및상기 금속 산화물을 성장시키는 단계를 포함하는 연속공정에 있어서,상기 금속 산화물 전구체층 형성 단계는 상기 탄소섬유를 금속 산화물 전구체층 형성용 용액에 침지한 후, 상기 탄소섬유 표면에 마이크로파를 조사하여 금속 산화물 전구체(Seed)층을 형성시키는 것이고,상기 성장 단계는 금속 산화물 전구체 층이 형성된 탄소섬유에 마이크로파를 조사하여 금속 산화물을 성장시키는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체층 형성 단계 이전에 상기 탄소섬유를 표면처리 하는 단계를 더 포함하는 것이고,상기 표면처리는 커플링제 처리, 플라즈마 처리, 산 처리 및 도파민 처리로 이루어진 군에서 선택되는 어느 한 방법으로 처리된 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전착(Electrodeposition)은 음극으로 상기 탄소섬유를 사용하고, 양극으로 전극판(Elextrode plate)을 사용하고, 그리고 전해질로 상기 금속 산화물 전구체층 형성용 용액을 사용하는 장치 내에서 실시되는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 전극판은 알루미늄, 아연, 구리, 철, 흑연, 은, 금, 백금 및 납으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체층 형성용 용액은 수산화 칼륨(KOH), 수산화 칼슘(CaOH), 수산화 나트륨(NaOH) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 하이드록시기를 갖는 화합물을 포함하는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체층 형성용 용액은 아세트산아연, 염화구리, 질화니켈, 이들의 수화물(Hydrate) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 더 포함하는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마이크로파의 조사는 전력(Microwave power) 100 내지 2000 W, 주파수 300 내지 30,000 MHz, 전하 밀도 0
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화물을 성장시키는 단계는 상기 금속 산화물 전구체층이 형성된 탄소섬유를 질화물을 포함하는 수용액에 침지시킨 후, 상기 질화물을 포함하는 수용액 내에서 이루어지는 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 질화물은 수산화 질산아연(Zinc nitrate hydrate), 질산아연6수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 헥사 메틸렌 테트라아민(Hexa methylene tetramine, HMTA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 금속 산화물이 성장된 탄소섬유 제조 방법
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