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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 고분자 물질을 포함하는 베이스 필름을 형성하는 단계;상기 베이스 필름 상에 패턴이 형성된 마스크 필름을 형성하는 단계;상기 패턴을 상기 베이스 필름 상에 전사시키는 단계; 및상기 마스크 필름을 제거하는 단계를 포함하고,상기 패턴은 상기 마스크 필름을 관통하여 형성되되, 상기 패턴과 중첩된 상기 베이스 필름 부분이 외부로 노출되고,상기 전사시키는 단계는,상기 마스크 필름, 상기 베이스 필름이 순차적으로 형성된 상기 기판을 진공챔버에 인입시키는 단계와,액체 상태의 패턴형성 물질을 기체 상태로 만들어 상기 기판이 인입된 상기 진공챔버 내에 유입시키는 단계와,상기 마스크 필름의 상기 패턴을 통해 상기 패턴형성 물질이 상기 베이스 필름 상에 적층되어 전사패턴을 형성하는 단계와,상기 전사패턴을 경화시키는 단계를 포함하는, 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 베이스 필름을 형성하는 단계는, 고분자 물질을 용매에 용해시켜 고분자 용액을 형성하고, 상기 고분자 용액을 상기 기판상에 도포하는 단게를 포함하는 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제2 항에 있어서,상기 고분자 용액을 상기 기판상에 도포한 후, 상기 고분자 용액을 건조시켜 상기 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제3 항에 있어서,상기 용액의 용매를 건조시키는 단계는, 진공분위기에서 수행되는 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제3 항에 있어서,상기 용매는디메틸포름아미드(N,N’-dimethylformamide), 디에틸포름아미드(N,N’-diethylformamide), t-부틸포름아마이드(t-butylformamide), 아세트아마이드, t-부틸아세트아마이드(t-butylacetamide), 테트라히드로푸란(tetrahydrofuran), 다이옥산(dioxane), N-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone : NMP), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 디에틸렌 글리콜 (diethylene glycol), 디에틸 에테르(diethyl ether), 트리- 또는 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 (tri or tetraethyleneglycol dimethyl ether), 아세토니트릴(acetonitrile), 1,2-디메톡시에탄 (1,2-dimethoxyethane :DME), 테트라메틸렌 술폰 (tetramethylene sulfone), 디메틸 술폰 (dimethyl sulfone), 디페닐술폰 (diphenyl sulfone), 테트라메틸렌 술폭시드 (tetramethylene sulfoxide : TMSO), 디메틸 술폭시드 (dimethyl sulfoxide : DMSO), 디페닐술폭시드 (diphenyl sulfoxide)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제3 항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile), 폴리아크릴로니트릴을 포함하는 공중합체로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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제1 항에 있어서,상기 마스크 필름은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane), 옥타메틸트리실록산(octamethyltrisiloxane), 데카메틸테트라실록산(decamethyltetrasiloxane), 헥사메틸사이클로트리실록산(hexamethylcyclotrisiloxane), 옥타메틸사이클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 및 데카메틸사이클로펜타실록산(decamethylcyclopentasiloxane)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 고분자 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
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