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게이트 전극인 하부 전극(Bottom electrode) 및 상기 하부 전극 상에 형성되는 절연막을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 활성층(Active layer); 및상기 활성층 상에 형성되며, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 상부 전극(Top electrode)을 포함하되, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 인가되는 전압에 따라, 상기 활성층을 통해 상기 드레인 전극에 흐르는 전류의 흐름이 제어되며, 상기 기판은 N형(N-type)으로 도핑된(doped) 실리콘(Si) 기판을 이용하여 제작되고, 상기 활성층은 용액 공정 기법을 이용하여 형성된 인듐-아연(indium-zinc) 산화물(oxide) 활성층이고, 상기 인듐-아연 산화물 활성층 형성 과정 중에 두 번의 어닐링 공정이 진행되며, 상기 인듐-아연 산화물 활성층 형성 과정 중에서, 미리 정해진 제1 온도의 핫 플레이트(hot plate)에서 프리어닐링(pre-annealing) 공정을 진행하고, 이후에 상기 제1 온도보다 높은 온도인 제2 온도의 퍼니스(furnace)에서 열산화(thermal oxidation) 공정을 통해 어닐링 공정을 진행하며, 상기 프리어닐링 공정 시에 120℃의 온도로 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터
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청구항 1에 있어서, 상기 상부 전극은 알루미늄(Al)으로 진공 증착되어 형성되는 것임을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터
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게이트 전극인 하부 전극(Bottom electrode) 및 상기 하부 전극 상에 형성되는 절연막을 포함하는 기판을 제작하는 단계;상기 기판 상에 활성층(Active layer)을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 상부 전극(Top electrode)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 인가되는 전압에 따라, 상기 활성층을 통해 상기 드레인 전극에 흐르는 전류의 흐름이 제어되며, 상기 기판을 제작하는 단계에서, N형(N-type)으로 도핑된(doped) 실리콘(Si) 기판으로 제작하고, 상기 활성층을 형성하는 단계에서, 용액 공정 기법을 이용하여 인듐-아연(indium-zinc) 산화물(oxide) 활성층을 형성하고, 상기 인듐-아연 산화물 활성층을 형성하는 과정 중에 두 번의 어닐링 공정이 진행되며, 상기 인듐-아연 산화물 활성층을 형성하는 과정 중에서, 미리 정해진 제1 온도의 핫 플레이트(hot plate)에서 프리어닐링(pre-annealing) 공정을 진행하고, 이후에 상기 제1 온도보다 높은 온도인 제2 온도의 퍼니스(furnace)에서 열산화(thermal oxidation) 공정을 통해 어닐링 공정을 진행하며, 상기 프리어닐링 공정 시에 120℃의 온도로 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 상부 전극 형성 단계에서, 상기 상부 전극은 알루미늄(Al)으로 진공 증착되어 형성되는 것임을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
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