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양자점 태양전지용 광활성층, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법(Photoactive layer for and the preparing method thereof)

  • 기술번호 : KST2017005487
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점 태양전지용 광활성층, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스프레이 분사 압력, 리간드의 종류, 리간드의 농도, 리간드 교환을 위한 침지 시간, 및 사용하는 양자점의 밴드갭 등을 최적의 범위로 조절함에 따라 이를 포함하는 태양전지에서의 단락전류 밀도, 개방 전압, 성능 지수 및 전력변환 효율 등이 향상될 수 있는 양자점 태양전지용 광활성층, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 39/24 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01) H01L 31/035209(2013.01)
출원번호/일자 1020150121899 (2015.08.28)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0025446 (2017.03.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장성연 대한민국 서울특별시 성북구
2 임상규 대한민국 서울특별시 서초구
3 박다솜 대한민국 경기도 양주시 고덕로 ***-**

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)
2 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0838760-68
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0844836-25
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
4 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2016.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0312187-58
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0021043-09
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0345422-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0674948-87
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0674910-53
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0852054-52
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.12.28 수리 (Accepted) 7-1-2016-0071162-71
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.01.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0085499-63
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0085535-19
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0114722-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자 전달층 상부에 평균입경이 2 nm ~ 8 nm 이고, 밴드갭이 1
2 2
제1항에 있어서,상기 전자 전달층은 ZnO, TiO2, SnO2, ITO 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 포함하는 n형 반도체인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지용 광활성층의 제조방법
3 3
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4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 1단계의 PbS 양자점을 함유하는 용액에 포함되는 PbS 양자점은 올레인 산(oleic acid), 올레일아민(oleyl amine), 트리옥틸포스파인 옥사이드(Trioctylphosphine oxide) 및 알킬계 계면활성제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 산으로 캡핑(capping)된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지용 광활성층의 제조방법
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.