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전도성 기판;상기 전도성 기판 상에 코팅된 나노결정성 이산화티타늄 박막; 및상기 나노결정성 이산화티타늄 박막 상에 코팅된, 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 메조기공 이산화티타늄 입자를 함유하는 코팅층;을 포함하는 염료감응 태양전지용 광양극으로서,상기 이산화티타늄 입자의 모양은 원판 형태에서 팔면체까지의 형태를 가지고,상기 이산화티타늄 입자의 크기는 100 nm 내지 2μm이며,상기 이산화티타늄 입자의 기공 크기는 2 내지 50 nm이며,상기 이산화티타늄 입자의 BET 비표면적은 100 내지 250 m2/g이며,상기 이산화티타늄 입자는 아나타제상인 것을 특징으로 하는 염료감응용 태양전지용 광양극
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제4항에 따른 광양극을 포함하는 염료감응 태양전지
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제5항에 있어서,상기 염료감응 태양전지는 고체상 고분자 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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I) 이산화티타늄 전구체, 유기 리간드, 유기 용매 및 첨가제를 혼합·교반하여 모액을 얻는 단계; II) 상기 모액을 150 내지 170 ℃에서 24 내지 36 시간 동안 수열반응시켜 금속 유기 구조체 용액을 형성하는 단계; III) 상기 금속 유기 구조체 용액을 원심분리 하여 입자를 수득, 세척 및 건조함으로써 금속 유기 구조체 입자를 합성하는 단계; 및 IV) 상기 금속 유기 구조체 입자를 하소 열처리 하는 단계;를 포함하는 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 메조기공 이산화티타늄 입자의 제조방법으로서,상기 첨가제는 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 어느 하나의 계면활성제이고,상기 계면활성제의 농도를 조절함으로써 상기 이산화티타늄 입자의 기공도, 크기 및 모양을 조절하며,상기 이산화티타늄 입자의 모양은 원판 형태에서 팔면체까지의 형태를 가지며,상기 이산화티타늄 입자의 크기는 100 nm 내지 2μm이며,상기 이산화티타늄 입자의 기공 크기는 2 내지 50 nm이며,상기 이산화티타늄 입자의 BET 비표면적은 100 내지 250 m2/g이며,상기 이산화티타늄 입자는 아나타제상인 것을 특징으로 하는, 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 메조기공 이산화티타늄 입자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 이산화티타늄 전구체는 티타늄부톡사이드, 티타늄에톡사이드, 티타늄이소프로폭사이드, 및 티타늄프로폭사이드 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 이산화티타늄 입자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 유기 용매는 디메틸포름아미드, 디에틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸서폭시드, 디메틸아세트아미드, 메탄올, 에탄올, 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 이산화티타늄 입자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 용매는 디메틸포름아미드 및 메탄올의 혼합물인 것을 특징으로 하는 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 이산화티타늄 입자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 유기 리간드는 BDC, BTC, BTB, BBC, BTE, BHEHPI, TATB, TPBTM, BTP, BTEI, BTTI, TTEI, BTETCA, BNETP, BHEI, DOT, ATC, DCDPBN, ImDC, DPBPyDC, PPy, THBTS, ADB, 및 BPP34C10DA 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 유기 구조체 기반의 정렬된 이산화티타늄 입자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 이산화티타늄 전구체, 유기 리간드 및 첨가제의 몰비는 1 : 3
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제7항에 있어서,상기 용매는 디메틸포름아미드 및 메탄올의 혼합물이고;상기 이산화티타늄 전구체, 유기 리간드, 첨가제, 디메틸포름아미드 및 메탄올의 몰비는 1 : 3
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제7항에 있어서,상기 IV) 단계의 하소 열처리는 10 ℃/분으로 380 내지 500 ℃까지 승온시킨 후, 3 내지 7 시간 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 정렬된 메조기공 이산화티타늄 입자의 제조방법
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