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표면으로부터 내부로 연속된 기공을 형성하고 랜덤 배열되어 서로 물리적으로 접촉하는 복수의 금속 파이버들을 포함하는 부직포형 집전체;상기 금속 파이버들 상에 스퍼터링 증착된 실리콘 함유 활물질층;상기 금속 파이버들과 상기 실리콘 함유 활물질층 사이에 배치되고 상기 기공을 통해 상기 금속 파이버들 상에 스퍼터링 증착된 결착층; 및상기 실리콘 함유 활물질층 상에 스퍼터링 증착되어 쉘 구조를 갖는, 전해질과의 계면 제어층을 포함하며,상기 계면 제어층은, 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나, 이들의 금속간 화합물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 결착층은 금속층, 금속 화합물층 또는 이의 적층 구조를 포함하는 이차 전지용 전극
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제 2 항에 있어서,상기 금속층은 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 금속간 화합물을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 결착층은 탄소층 또는 탄소 동소체층을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 4 항에 있어서,상기 탄소 동소체층은 풀러렌, 탄소나노튜브, 그래핀(graphene) 또는 그라파이트(graphite)을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 결착층은 0
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 활물질층은 실리콘 및 상기 실리콘과의 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하는 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 활물질층은 플라즈마 증착되며, 상기 기공의 크기는 플라즈마의 시쓰(sheath)보다 큰 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 기공의 크기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 금속 파이버들의 직경은 1 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 이차 전지용 전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 파이버들은 스테인레스강, 철, 알루미늄, 구리, 니켈, 크롬, 티타늄, 바나튬, 텅스텐, 망간, 코발트, 아연, 루테늄, 납, 이리듐, 안티몬, 백금, 은, 금, 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함하는 이차 전지용 전극
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기공을 형성하는 금속 파이버들를 포함하는 부직포형 집전체를 플라즈마 반응로 내부에 제공하는 단계;상기 기공을 통하여 상기 금속 파이버들 상에 결착층을 스퍼터링 증착하는 단계;상기 기공을 통하여 상기 결착층 상에 실리콘 함유 활물질층을 스퍼터링 증착하는 단계; 및상기 실리콘 함유 활물질층 상에 쉘 구조를 갖는, 전해질과의 계면 제어층을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함하며,상기 계면 제어층은, 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나, 이들의 금속간 화합물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 이차 전지용 전극의 제조 방법,
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제 16 항에 있어서,상기 부직포형 집전체는 상기 플라즈마 반응로 내에 상기 부직포형 집전체의 주면의 대향면들이 플라즈마에 모두 노출될 수 있도록 부양된 이차전지용 전극의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 기공의 크기는 플라즈마의 시쓰(sheath)보다 큰 이차 전지용 전극의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 기공의 크기는 0
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제 16 항에 있어서,상기 금속 파이버들의 평균 직경은 1 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 이차 전지용 전극의 제조 방법
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