맞춤기술찾기

이전대상기술

이차 전지용 전극 및 이의 제조 방법(Electrode for secondary battery and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017005640
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차 전지 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 바인더 프리이차전지용 전극 및 이의 제조 방법이다.  본 발명의 일 실시예에 따른 이차 전지용 전극은, 표면으로부터 내부로 연속된 기공을 형성하고 랜덤 배열되어 서로 물리적으로 접촉하는 복수의 금속 파이버들을 포함하는 부직포형 집전체; 상기 금속 파이버들 상에 형성된 실리콘 함유 활물질층; 및 상기 금속 파이버들과 상기 실리콘 함유 활물질층 사이의 결착층을 포함한다.
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/139 (2010.01.01) H01M 4/38 (2006.01.01) H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 4/80 (2006.01.01)
CPC H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01)
출원번호/일자 1020150123857 (2015.09.01)
출원인 주식회사 제낙스, 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0027377 (2017.03.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170052544;
심사청구여부/일자 Y (2015.09.01)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 제낙스 대한민국 부산광역시 부산진구
2 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이용민 대한민국 대전광역시 유성구
2 유명현 대한민국 대전광역시 유성구
3 송성현 대한민국 대전광역시 중구
4 조인성 대한민국 대전광역시 서구
5 김창현 대한민국 충청남도 공주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 제낙스 대한민국 부산광역시 부산진구
2 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0850728-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0011660-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0676910-46
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1142838-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.11.30 수리 (Accepted) 4-1-2016-5176356-07
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1256152-92
8 보정요구서
Request for Amendment
2016.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0187142-08
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1294992-07
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0080838-87
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0185270-38
12 보정요구서
Request for Amendment
2017.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0030355-13
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0285397-40
14 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0219222-99
15 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2017.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0230968-80
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0401584-71
18 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0401577-51
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0401583-25
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
21 등록결정서
Decision to grant
2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0376772-17
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면으로부터 내부로 연속된 기공을 형성하고 랜덤 배열되어 서로 물리적으로 접촉하는 복수의 금속 파이버들을 포함하는 부직포형 집전체;상기 금속 파이버들 상에 스퍼터링 증착된 실리콘 함유 활물질층;상기 금속 파이버들과 상기 실리콘 함유 활물질층 사이에 배치되고 상기 기공을 통해 상기 금속 파이버들 상에 스퍼터링 증착된 결착층; 및상기 실리콘 함유 활물질층 상에 스퍼터링 증착되어 쉘 구조를 갖는, 전해질과의 계면 제어층을 포함하며,상기 계면 제어층은, 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나, 이들의 금속간 화합물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 이차 전지용 전극
2 2
제 1 항에 있어서,상기 결착층은 금속층, 금속 화합물층 또는 이의 적층 구조를 포함하는 이차 전지용 전극
3 3
제 2 항에 있어서,상기 금속층은 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 금속간 화합물을 포함하는 이차 전지용 전극
4 4
제 1 항에 있어서,상기 결착층은 탄소층 또는 탄소 동소체층을 포함하는 이차 전지용 전극
5 5
제 4 항에 있어서,상기 탄소 동소체층은 풀러렌, 탄소나노튜브, 그래핀(graphene) 또는 그라파이트(graphite)을 포함하는 이차 전지용 전극
6 6
제 1 항에 있어서,상기 결착층은 0
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 활물질층은 실리콘 및 상기 실리콘과의 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 화합물을 포함하는 이차 전지용 전극
9 9
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 활물질층은 플라즈마 증착되며, 상기 기공의 크기는 플라즈마의 시쓰(sheath)보다 큰 이차 전지용 전극
10 10
제 1 항에 있어서,상기 기공의 크기는 0
11 11
제 1 항에 있어서,상기 금속 파이버들의 직경은 1 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 이차 전지용 전극
12 12
제 1 항에 있어서,상기 금속 파이버들은 스테인레스강, 철, 알루미늄, 구리, 니켈, 크롬, 티타늄, 바나튬, 텅스텐, 망간, 코발트, 아연, 루테늄, 납, 이리듐, 안티몬, 백금, 은, 금, 또는 이들의 합금 중 어느 하나를 포함하는 이차 전지용 전극
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
기공을 형성하는 금속 파이버들를 포함하는 부직포형 집전체를 플라즈마 반응로 내부에 제공하는 단계;상기 기공을 통하여 상기 금속 파이버들 상에 결착층을 스퍼터링 증착하는 단계;상기 기공을 통하여 상기 결착층 상에 실리콘 함유 활물질층을 스퍼터링 증착하는 단계; 및상기 실리콘 함유 활물질층 상에 쉘 구조를 갖는, 전해질과의 계면 제어층을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함하며,상기 계면 제어층은, 주석(Sn), 안티몬(Sb), 아연(Zn), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 비스무스(Bi), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 비소(As), 갈륨(Ga), 납(Pb) 및 철(Fe)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나, 이들의 금속간 화합물, 및 이들 중 어느 하나의 산화물을 포함하는 이차 전지용 전극의 제조 방법,
17 17
제 16 항에 있어서,상기 부직포형 집전체는 상기 플라즈마 반응로 내에 상기 부직포형 집전체의 주면의 대향면들이 플라즈마에 모두 노출될 수 있도록 부양된 이차전지용 전극의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 기공의 크기는 플라즈마의 시쓰(sheath)보다 큰 이차 전지용 전극의 제조 방법
19 19
제 16 항에 있어서,상기 기공의 크기는 0
20 20
제 16 항에 있어서,상기 금속 파이버들의 평균 직경은 1 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위 내인 이차 전지용 전극의 제조 방법
21 21
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107949936 CN 중국 FAMILY
2 EP03346526 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP06749390 JP 일본 FAMILY
4 JP30526791 JP 일본 FAMILY
5 KR101908852 KR 대한민국 FAMILY
6 US20190229329 US 미국 FAMILY
7 WO2017039183 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107949936 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3346526 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP3346526 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2018526791 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP6749390 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2019229329 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2017039183 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.