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결정 성장 표면을 갖는 SiC 단결정 시드를 성장로 내에 제공하는 단계;실리콘 및 크롬을 포함하는 원료 분말이 구비된 성장 도가니를 제공하는 단계; 상기 성장 도가니의 원료 분말을 용융하고 상기 SiC 시드의 결정 성장 표면을 상기 용융액에 딥핑한 상태로 소정 시간 유지하여 상기 시드 표면에 SiC 결정막을 성장하는 단계; 및상기 SiC 시드를 용탕 외부로 풀링하는 단계를 포함하고, 상기 SiC 시드를 서냉하면서 상기 SiC 결정막 표면에 상기 복수의 SiC 단결정 로드를 상기 결정 성장 표면에 대하여 실질적으로 수직방향으로 성장하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 유지 단계는,상기 SiC 시드를 상기 성장 도가니에 장입하는 단계; 및상기 성장 도가니의 원료 분말이 용융과 함께 상기 SiC 시드가 상기 용융액에 딥핑되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 유지 단계는,상기 성장 도가니의 원료 분말을 용융하는 단계; 및상기 성장 도가니의 용융액에 상기 SiC 시드를 딥핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 결정막 성장 단계는, 상기 성장로 내부를 불활성 가스로 퍼지하는 단계;상기 성장로 내부의 불활성 가스를 100 torr~ 대기압 범위로 유지하면서 승온하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 나노로드 성장 단계는 대기압 미만의 Ar 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 로드 성장 단계에서 상기 단결정 로드는 상기 SiC 결정막 표면에 잔류하는 용융 금속 및 및 산소의 반응에 의해 성장되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 단결정 로드 성장 단계에서 상기 단결정 로드의 종단은 용융 금속 및 산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 로드 성장 단계에서 냉각 속도는 10℃/min 이하인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드의 제조 방법
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SiC 시드 기판;상기 SiC 시드 기판의 표면으로부터 연장되며, 상기 SiC 기판과 실질적으로 동일한 배향을 가지며 상기 표면에 실질적으로 수직 방향으로 배열된 복수의 단결정 로드를 포함하는 SiC 단결정 로드 부재
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제9항에 있어서,상기 SiC 시드 기판은 오프 액시스(off-axis) 4H-SiC인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 로드 부재
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