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발광다이오드에 입사광을 제공하되, 상기 입사광의 에너지를 변화시키면서 상기 입사광을 상기 발광다이오드에 인가하는 광입사부;상기 발광다이오드에 서로 다른 크기의 복수의 전압을 인가할 수 있도록, 상기 발광다이오드에 인가되는 전압을 조절하는 전압 조절기; 및상기 발광다이오드에 인가되는 복수의 전압별로, 상기 발광다이오드의 광자에너지 세기 분포를 나타내는 발광여기 데이터를 생성하고, 상기 복수의 전압별로 생성된 발광여기 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 상태 밀도를 분석하는 데이터 분석부를 포함하며,상기 데이터 분석부는, 상기 전압 조절기에 의해 상기 발광다이오드의 양단을 단락시킨 조건에서 측정된 발광여기 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 발광 재결합에 기여하는 상태밀도 증가율을 산출하는 발광다이오드의 상태 밀도 분석 장치
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제1 항에 있어서,상기 데이터 분석부는,상기 발광다이오드에 인가되는 복수의 전압별로, 상기 발광다이오드의 광자에너지 세기 분포를 나타내는 발광여기 데이터를 생성하는 발광여기데이터 생성부;상기 복수의 전압별로 생성된 발광여기 데이터를 기결정된 광자에너지를 기준으로 정규화하여 발광여기 정규화 데이터를 생성하는 정규화부;상기 발광여기 정규화 데이터와, 상기 발광다이오드의 양단을 단락시킨 조건에서 측정된 기준 발광여기 정규화 데이터의 차이값을 산출하여 발광여기 증분데이터를 생성하는 발광여기 증분데이터 생성부; 및상기 발광여기 증분데이터 중에서 상기 기결정된 광자에너지보다 낮은 광자에너지 범위의 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 양자우물의 상태 밀도를 측정하는 상태밀도 분석부를 포함하는 발광다이오드의 상태 밀도 분석 장치
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제1 항에 있어서,상기 광입사부는,광을 공급하는 광원;상기 광을 단색 파장으로 변화시키는 단색광기;상기 단색 파장의 광을 투과시키는 단파장 투과필터;상기 단색 파장의 광을 기결정된 주파수로 상기 발광다이오드로 제공하기 위한 초퍼; 및상기 초퍼에 의해 상기 기결정된 주파수로 제공되는 상기 단색 파장의 광을 반사시켜 상기 발광다이오드로 상기 입사광을 제공하는 빔스플리터를 포함하고,상기 입사광에 따라 상기 발광다이오드에서 발생하여 상기 빔스플리터를 투과한 빛 중 기결정된 파장 대역의 빛만을 통과시키는 대역통과필터와, 상기 대역통과필터를 통과한 빛의 강도를 전압 또는 전류로 변화시키는 광전 증배기와, 상기 광전 증배기에 의해 변화된 전압 또는 전류를 증폭시켜 상기 기결정된 주파수에 따라 측정하고 상기 단색 파장의 광이 기결정된 주파수로 상기 발광다이오드에 제공되도록 상기 초퍼를 동기화시켜 제어하는 로크인 증폭기를 포함하는 데이터 수집부를 더 포함하는 발광다이오드의 상태 밀도 분석 장치
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발광다이오드에 입사광을 제공하되, 상기 입사광의 에너지를 변화시키면서 상기 입사광을 상기 발광다이오드에 인가하는 단계;상기 발광다이오드에 서로 다른 크기의 복수의 전압을 인가할 수 있도록, 상기 발광다이오드에 인가되는 전압을 조절하는 단계;상기 발광다이오드에 인가되는 복수의 전압별로, 상기 발광다이오드의 광자에너지 세기 분포를 나타내는 발광여기 데이터를 생성하는 단계; 및상기 복수의 전압별로 생성된 발광여기 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 상태 밀도를 분석하는 단계를 포함하며,상기 상태 밀도를 분석하는 단계는, 상기 발광다이오드의 양단을 단락시킨 조건에서 측정된 발광여기 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 발광 재결합에 기여하는 상태 밀도 증가율을 산출하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 상태 밀도 분석 방법
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제5 항에 있어서,상기 상태 밀도를 분석하는 단계는,상기 복수의 전압별로 생성된 발광여기 데이터를 기결정된 광자에너지를 기준으로 정규화하여 발광여기 정규화 데이터를 생성하는 단계;상기 발광여기 정규화 데이터와, 상기 발광다이오드의 양단을 단락시킨 조건에서 측정된 기준 발광여기 정규화 데이터의 차이값을 산출하여 발광여기 증분데이터를 생성하는 단계; 및상기 발광여기 증분데이터 중에서 상기 기결정된 광자에너지보다 낮은 광자에너지 범위의 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 양자우물의 상태 밀도를 측정하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 상태 밀도 분석 방법
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가변적인 에너지의 입사광에 따라 발광다이오드에서 발생하는 광을 분석하여, 상기 발광다이오드에 인가되는 복수의 전압별로 상기 발광다이오드의 광자에너지 세기 분포를 나타내는 발광여기 데이터를 생성하는 단계와, 상기 복수의 전압별로 생성된 발광여기 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 상태 밀도를 분석하는 단계를 포함하되, 상기 상태 밀도를 분석하는 단계는, 상기 발광다이오드의 양단을 단락시킨 조건에서 측정된 발광여기 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 발광 재결합에 기여하는 상태 밀도 증가율을 산출하는 단계를 포함하는 발광다이오드의 상태 밀도 분석 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록된 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
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제8 항에 있어서,상기 상태 밀도를 분석하는 단계는,상기 복수의 전압별로 생성된 발광여기 데이터를 기결정된 광자에너지를 기준으로 정규화하여 발광여기 정규화 데이터를 생성하는 단계;상기 발광여기 정규화 데이터와, 상기 발광다이오드의 양단을 단락시킨 조건에서 측정된 기준 발광여기 정규화 데이터의 차이값을 산출하여 발광여기 증분데이터를 생성하는 단계; 및상기 발광여기 증분데이터 중에서 상기 기결정된 광자에너지보다 낮은 광자에너지 범위의 데이터를 이용하여 상기 발광다이오드의 양자우물의 상태 밀도를 측정하는 단계를 포함하는 기록 매체
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