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반도체 기판 내에 매립된 매립 산화막;상기 매립 산화막 상부에 양자 우물을 포함하여 형성된 진성영역;상기 진성영역에 일정 거리 이격되어 형성되는 P형 불순물영역 및 N형 불순물영역를 포함하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 진성 영역은 상기 매립 산화막 상부에 형성된 제 1 진성영역;상기 제 1 진성영역 상부에 형성되어 표면이 노출되는 제 2 진성영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 2에 있어서, 상기 양자 우물은 상기 제 1 진성영역과 상기 제 2 진성영역 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 양자 우물은 상기 진성영역 내에 상기 P형 불순물영역 및 N형 불순물영역 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 양자 우물에 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 양자 우물은 상기 매립 산화막 상부에 형성되고,상기 진성영역은 양자 우물 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 1에 있어서,상기 반도체 소자는 핀 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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반도체 기판 내에 매립된 매립 산화막;상기 매립 산화막 상부에 형성되며 도그본(dog bone) 구조를 가지는 진성영역;상기 진성영역에 일정 거리 이격되어 형성되는 P형 불순물영역 및 N형 불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 8에 있어서, 상기 도그본 구조를 가지는 진성영역은,상기 진성영역의 중심부가 상기 P형 불순물영역 및 상기 N형 불순물영역 측의 진성영역보다 좁은 폭을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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10
반도체 기판 내에 매립된 매립 산화막;상기 매립 산화막 상부에 형성되는 진성영역;상기 진성영역에 일정 거리 이격되어 형성되는 P형 불순물영역 및 N형 불순물영역을 포함하고,상기 진성영역이 미리 정한 두께 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 10에 있어서, 상기 진성영역은 100 nm 이하의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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12
청구항 10에 있어서, 상기 진성영역 전체에 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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반도체 기판 내에 매립된 매립 산화막;상기 매립 산화막 상부에 형성되는 진성영역;상기 진성영역에 일정 거리 이격되어 형성되는 P형 불순물영역 및 N형 불순물영역;상기 반도체 기판, 상기 매립 산화막, 상기 진성영역의 후면에 형성되는 백게이트 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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청구항 13에 있어서, 상기 백게이트 상부에 형성되는 제 1 채널; 및 상기 진성영역 상부 표면에 형성되는 제 2 채널을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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15
청구항 13에 있어서, 상기 백게이트를 둘러싸는 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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반도체 기판 상에서 채널이 형성되는 진성영역; 상기 진성영역에 일정 거리 이격되어 형성되는 제 1형 불순물영역 및 제 2형 불순물영역을 포함하는 반도체 소자의 캐리어 농도 조절 방법에 있어서, 상기 1형 불순물영역은 접지전압단에 연결되고,상기 2형 불순물영역에 인가되는 전압을 가변적으로 제어하여 상기 진성영역의 캐리어 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐리어 농도 조절 방법
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청구항 16에 있어서, 상기 제 1형 불순물영역은 N+ 불순물 영역이고,상기 제 2형 불순물 영역은 P+ 불순물 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐리어 농도 조절 방법
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