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방사선 검출용 유기소자 및 그 제조방법(Organic Device for Detecting Radiation and Thereof Manufacture Method)

  • 기술번호 : KST2017005791
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 방사선 검출용 유기소자의 취득효율을 높일 수 있는 방사선 검출용 유기소자 및 그 제조방법이 개시된다. 이는 유기재료를 기반으로 하는 검출소자에 섬광체층이 포함된 간접변환방식을 이용하고, 양자점이 혼합된 활성층을 형성함으로써 활성층에 추가적인 전하를 생성할 수 있다. 이에 따라 총 전하량이 증가됨으로써 검출신호의 취득효율을 높여 검출감도 및 신호대잡음비(SNR)를 향상시키고, 암전류를 감소시킬 수 있는 방사선 검출용 유기소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/44 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01) H01L 31/0352 (2006.01.01)
CPC H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01) H01L 51/44(2013.01)
출원번호/일자 1020160001016 (2016.01.05)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0029363 (2017.03.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150125282   |   2015.09.04
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.06.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강정원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 임성오 대한민국 대전광역시시 유성구
3 김범수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0008650-99
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0607225-36
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0022614-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0104921-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0345735-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0345734-20
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0598001-96
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0944287-51
10 법정기간연장승인서
2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0136811-95
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1075038-84
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1075037-38
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0802037-15
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-0430962-30
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0073755-59
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0098897-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성되는 제1 전극층(120);상기 제1 전극층 상부에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층;상기 정공수송층 상부에 형성되고, 상기 기판을 투과한 방사선이 흡수되어 전자-정공 쌍을 생성하는 활성층;상기 활성층 상부에 형성되는 제2 전극층; 및상기 기판 하부에 형성되며, 상기 방사선을 가시광선으로 변환하는 섬광체층(scintillator);을 포함하고,상기 활성층은 양자점(Quantum Dot)을 포함하는 것인 방사선 검출용 유기소자
2 2
제1항에 있어서,상기 양자점은 상기 활성층의 구성물질인 도너와 억셉터 교반시 추가 혼합하여 형성되는 것인 방사선 검출용 유기소자
3 3
제1항에 있어서,상기 활성층의 물질은 P3HT:PCBM이고, 상기 양자점의 물질은 CdSe인 방사선 검출용 유기소자
4 4
제1항에 있어서,상기 양자점이 포함된 상기 활성층은 스핀-코팅(spin-coating) 기법을 이용하여 형성되는 것인 방사선 검출용 유기소자
5 5
제1항에 있어서,상기 섬광체층의 물질은 Csl:TI인 방사선 검출용 유기소자
6 6
기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상부에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상부에 양자점이 포함된 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 기판 하부에 섬광체층(scintillator)을 형성하는 단계를 포함하는 방사선 검출용 유기소자의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 양자점은 상기 활성층의 구성물질인 도너와 억셉터 교반시 추가 혼합하여 형성되는 것인 방사선 검출용 유기소자의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계에서,상기 양자점이 포함된 상기 활성층은 스핀-코팅(spin-coating) 기법을 이용하여 형성되는 것인 방사선 검출용 유기소자의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 제2 전극층을 형성하는 단계 이후에,상기 제2 전극층 상부에 봉지(Encapsulation)공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 방사선 검출용 유기소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 단국대학교 산학협력단 중견연구자지원사업/도약연구 유기 반도체를 이용한 휨성 X-선 영상 검출기에 대한 연구(1/3)
2 산업통상자원부 단국대학교 지역연고산업육성사업 광응용기기 핵심전력부품 및 제품화 지원 사업