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기판; 및상기 기판 위에 형성되고 펜로즈 타일링(penrose tiling) 형태의 패턴을 갖는 전도성 패턴층;을 포함하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 패턴의 선폭이 0
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 필름의 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 필름의 면저항이 0
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제 1항에 있어서, 상기 기판이 투명한 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 기판이 플렉서블(flexible)한 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 기판이 폴리에테르술폰(PES), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리아릴레이트(PA), 폴리이미드(PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스트리아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트(CAP), 유리 및 아릴라이트(arylite)로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 패턴층이 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물 및 금속 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 패턴층이 은(Ag), 은 산화물, 은 질화물, 은 산화질화물, 금(Au), 금 산화물, 금 질화물, 금 산화질화물, 백금(Pt), 백금 산화물, 백금 질화물, 백금 산화질화물, 니켈(Ni), 니켈 산화물, 니켈 질화물, 니켈 산화질화물, 팔라듐(Pd), 팔라듐 산화물, 팔라듐 질화물, 팔라듐 산화질화물, 구리(Cu), 구리 산화물, 구리 질화물, 구리 산화질화물, 크롬(Cr), 크롬 산화물, 크롬 질화물, 크롬 산화질화물, 알루미늄(Al), 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화질화물, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 산화물, 몰리브덴 질화물, 몰리브덴 산화질화물 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 필름이 플렉서블한 것을 특징으로 하는 전도성 필름
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기판에 전도성 금속층을 형성하는 단계;상기 전도성 금속층 위에 포토레지스트(photoresist)를 형성하는 단계;상기 포토레지스트를 펜로즈 타일링 형태로 패터닝하는 단계; 및상기 전도성 금속층을 에칭하는 단계;를 포함하는 전도성 필름의 제조 방법
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제 11항에 있어서, 상기 펜로즈 타일링 형태로 패터닝된 포토레지스트의 선폭이 0
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제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 전도성 필름을 포함하는 전극
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제 13항에 있어서, 상기 전극이 투명한 것을 특징으로 하는 전극
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