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배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법 및 이에 의한 나노다공성3차원구조 박막(A method for manufacturing thin films with 3-D nanoporous structure over using a baffle and thin films with 3-D nanoporous structure thereof)

  • 기술번호 : KST2017005923
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시 예는 열증착을 수행하는 경우에 배플(baffle)을 사용하여 열전도율이 낮은 다양한 소재의 기판 위에 나노다공성3차원구조 박막을 형성하는 제조방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법은 증착챔버에 기판을 고정시키고, 기판과 증발원(heat source) 간 소정의 위치에 열 차단의 기능을 구비한 배플(baffle)을 설치하는 단계, 증착챔버 내부를 진공상태로 만들어주는 단계, 진공상태인 증착챔버에 공정가스를 주입하여 공정가스가 초기공정압력을 형성하는 단계, 기판의 온도를 50℃ 이하로 설정하는 기판온도 설정 단계, 열증착 공정으로써 증착물질이 담긴 증발원(heat source)의 온도를 상승시켜 증착물질의 증기를 형성하는 단계 및 (ⅴ)단계에서 생성된 증착입자가 기판 상에 증착되는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) H01L 21/203 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020150127060 (2015.09.08)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0030132 (2017.03.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.08)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호년 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 김현종 대한민국 서울 금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0873073-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0026522-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0297481-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0610477-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0610495-52
7 등록결정서
Decision to grant
2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0804911-41
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법에 있어서,(ⅰ) 증착챔버에 기판을 고정시키고, 상기 기판과 증발원(heat source) 간 소정의 위치에 열 차단의 기능을 구비한 배플(baffle)을 1개 이상 3개 이하의 층으로 설치하는 단계;(ⅱ) 상기 증착챔버 내부를 진공상태로 만들어주는 단계;(ⅲ) 진공상태인 상기 증착챔버에 불활성 기체인 공정가스를 주입하여, 상기 증착챔버 내부에 0
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3 3
청구항2에 있어서,상기 홀(hole)은, 원 또는 다각형의 형상인 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
4 4
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5 5
청구항1에 있어서,상기 (ⅰ)단계의 배플의 두께는, 0
6 6
청구항1에 있어서, 상기 (ⅰ)단계의 배플은 금속, 합금 및 세라믹 물질로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
7 7
청구항6에 있어서, 상기 (ⅰ)단계의 배플은 철(Fe), 타이타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 베릴륨(Be), 납(Pb), 주석(Sn), 규소(Si), 크롬(Cr), 아연(Zn), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 된 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
8 8
청구항6에 있어서,상기 (ⅰ)단계의 배플은 알루미나, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 카바이드 및 지르코니아로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 세라믹 물질로 된 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
9 9
청구항1에 있어서, 상기 (ⅰ)단계의 기판은 종이, 합성수지, 세라믹 물질, 유리, 규소 및 금속으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
10 10
청구항1에 있어서,상기 기판과 상기 배플 간의 거리는, 0
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청구항1에 있어서, 상기 (ⅳ)단계는, 상기 기판이 냉각부에 밀착되게 고정되어 수행되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
13 13
청구항1에 있어서, 상기 증착챔버는, 상기 증착입자의 흐름이 상기 증발원으로부터 상기 증착챔버의 상단면으로 형성되도록 상기 증착챔버의 상단면에 배기구가 구비되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
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청구항1에 있어서, 상기 증착챔버는, 상기 증착입자의 흐름이 상기 증발원으로부터 상기 증착챔버의 일측면으로 형성되도록 상기 증착챔버의 일측면 소정의 위치에 배기구가 구비되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
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16 16
삭제
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청구항1에 있어서, 상기 증착입자는, 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 니켈(Ni), 타이타늄(Ti), 아연(Zn), 납(Pb), 바나듐(V), 코발트(Co), 어븀(Er), 칼슘(Ca), 홀뮴(Ho), 사마륨(Sm), 스칸듐(Sc), 터븀(Tb), 몰리브덴(Mo) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 된 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
18 18
청구항1에 있어서, 상기 (iii)단계의 공정가스는, 불활성 기체로서의 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr), 크세논(Xe), 라돈(Rn) 중 선택되는 하나 이상의 기체인 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
19 19
청구항 1에 있어서,상기 증착입자는, 주석(Sn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 리튬(Li), 알루미늄(Al), 안티몬(Sb), 비스무스(Bi), 마그네슘(Mg), 규소(Si), 인듐(In), 납(Pb) 및 팔라듐(Pd)의 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속산화물로 된 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
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청구항19에 있어서,상기 금속산화물로 형성된 나노다공성3차원구조 박막은, 상기 증발원의 소재인 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 및 탄탈륨(Ta)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
21 21
청구항 1에 있어서,상기 (iii)단계에서의 공정가스는, 불활성 기체로서의 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He), 네온(Ne), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 및 라돈(Rn)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 기체와 산소(02)와의 혼합물이고, 상기 산소(02)는 금속산화물의 성분 제어 및 산화상태의 안정성을 확보하는 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (ⅴ)단계에서의 증착입자의 생성은, 열증발법 또는 스퍼터링법에 의하는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막의 제조방법
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24 24
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나노다공성3차원구조 박막에 있어서, 청구항 1, 청구항 3, 청구항 5 내지 청구항 10, 청구항 12 내지 청구항 14, 및 청구항 17 내지 청구항 22 중 선택되는 어느 하나의 항의 방법에 의해 제조되고, 비표면적(specific surface area)값은 0
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청구항26에 있어서,상기 나노다공성3차원구조 박막의 밀도비(벌크대비)는 0
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청구항26에 있어서, 상기 나노다공성3차원구조 박막은, 직경이 1
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청구항26에 있어서, 상기 나노다공성3차원구조 박막은, 직경이1
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배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막 제조장비에 있어서,진공상태가 가능하며, 불활성 기체인 공정가스를 주입하면 내부에서 0
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청구항31에 있어서,상기 배플은, 1개 이상 3개 이하의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막 제조장비
33 33
청구항31에 있어서,상기 배플은, 상기 증발원과 상기 기판 사이에 복수 개 설치되는 것을 특징으로 하는 배플을 이용한 나노다공성3차원구조 박막 제조장비
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.