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수용액상에서 바나듐염과 요소를 혼합하고, 전이금속 화합물 및 환원제를 첨가하여 반응시키는 단계; 및상기 혼합 수용액을 260 ℃ 내지 300 ℃의 온도 및 70 내지 90 bar의 압력 범위에서 12 내지 36 시간 동안 수열화 처리하여 전이금속 화합물이 도핑된 바나듐 화합물을 생성시키는 단계; 를 포함하고, 상기 바나듐염과 전이금속 화합물은 바나듐원소와 전이금속 원소의 총합을 기준으로 전이금속 원소의 함량비가 0
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제1항에 있어서, 상기 바나듐염은 바나딜설페이트, 바나딜클로라이드, 바나듐펜톡사이드, 바나딜 아세틸아세토네이트, 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 무소성 고결정성 이산화바나듐의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전이금속 화합물은 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 주석, 및 안티몬으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전이금속 원소를 포함하는 것인 무소성 고결정성 이산화바나듐의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원제는 히드라진, 옥살산, 소듐 보로하이드라이드, 차아황산나트륨, 티오황산나트륨 및 그의 염이나 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 무소성 고결정성 이산화 바나듐의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수열화 처리 단계 이후에 생성된 전이금속 화합물이 도핑된 바나듐 화합물을 35 ℃ 내지 80 ℃의 온도 범위에서 건조시키는 단계를 추가로 포함하는 무소성 고결정성 이산화 바나듐의 제조방법
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제1항 내지 제4항, 또는 제6항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되고, 상전이 온도가 20 내지 45 ℃인 무소성 고결정성 이산화 바나듐
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제8항에 있어서,단사정계의 결정구조를 갖고, 평균 입자 크기는 30 nm 내지 100 nm인 무소성 고결정성 이산화 바나듐
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