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광원;제1 전극과, 상기 제1 전극과 상호 작용하여 전기장을 형성하고, 상기 광원으로부터 생성된 광의 제1 이동통로로서 제공되는 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 절연되도록 이격시키는 절연 구조물; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 광과 반응하여 VOC를 이온화시키기 위한 전자를 방출하는 감광수단; 및상기 제2 전극과 상기 광원 사이를 절연하고, 상기 광의 제2 이동통로로서 제공되는 기판;을 포함하는 VOC 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 절연 구조물은 유리 재질인 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 절연 구조물은 일측은 상기 제1 전극과 접촉하고, 타측은 상기 제2 전극과 접촉하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 절연 구조물에는 VOC 이동통로가 형성된 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 제2 전극 또는/및 상기 기판은 투명 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 감광수단은 상기 제2 전극의 내측에 형성되는 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제1항에 있어서, 상기 감광수단은 VOC를 이온화시키지 않는 정도로 긴 파장을 가지는 광과 반응하여 전자를 방출하도록 설정된 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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8
제1항에 있어서, 상기 광원은 VOC를 이온화시키지 않는 정도로 긴 파장을 갖는 광을 생성하도록 설정된 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제8항에 있어서, 상기 광원은 230 nm 내지 260 nm의 파장 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제8항에 있어서, 상기 광원은 LED를 포함하는 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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광의 이동통로로서 제공되는 절연 기판을 마련하는 단계;상기 절연 기판의 일면에 반도체 제작 공정을 통하여 내부에 감광수단이 형성된 VOC 챔버를 형성하는 단계; 및상기 절연 기판의 타면에 반도체 제작 공정을 통하여 광원을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 VOC 챔버는,제1 전극;상기 제1 전극과 상호 작용하여 전기장을 형성하는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 절연되도록 이격시키는 절연 구조물;을 포함하는 것을 특징으로 하는 VOC 센서 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 광원은 LED를 포함하는 것을 특징으로 하는 VOC 센서 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 광원은 VOC를 이온화시키지 않는 정도로 긴 파장을 갖는 광을 생성하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 VOC 센서 제조방법
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VOC를 수용하는 VOC 챔버;광을 제공하는 광원;상기 VOC 챔버의 내부에 배치되고 상기 VOC를 이온화시키기 위해서 상기 광과 상호 작용하여 전자를 방출하는 전자 방출수단; 및상기 광원으로부터 상기 광을 상기 VOC 챔버로 이동시키되, 상기 광원과 상기 VOC 챔버를 절연하는 기판;을 포함하는 VOC 검출 센서
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제14항에 있어서, 상기 VOC 챔버는 전도성을 가지되, 서로 절연되도록 배치되며 대향 배치되는 제1 플레이트와 제2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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제14항에 있어서, 상기 기판의 일면에는 상기 VOC 챔버가 적층되고, 타면에는 상기 광원이 적층되는 것을 특징으로 하는 VOC 검출 센서
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투명 기판;상기 투명 기판의 일면에 위치하는 LED 램프;상기 투명 기판의 상기 일면의 반대면에 위치하는 투명 전극;상기 투명 전극과 대향하도록 배치되는 금속 전극;상기 투명 전극과 상기 금속 전극 사이에 개재되어 양 자를 절연하는 절연 구조물; 및상기 투명 전극의 상면에 형성되고, 상기 LED 램프로부터 생성되어 상기 투명 기판과 상기 투명 전극을 통과한 광을 수광하여 전자를 방출하는 전자 방출수단;을 포함하는 VOC 검출 센서
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