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양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴, 이의 형성방법, 이를 이용한 무막 장치 및 이의 제조방법(AMPHIPHOBIC SILICON NANOWIRE PATTERN AND METHOD FOR FORMING THE SAME AND MEMBRANE-FREE DEVICE USING THE SAME AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017006179
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 실리콘 웨이퍼 상에 금속 촉매를 로딩하는 단계; (b) 상기 금속 촉매가 로딩된 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 실리콘 나노와이어 패턴을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 실리콘 나노와이어 패턴 표면에 실리카 나노 입자들을 도포한 후, 플루오르화하는 단계를 포함하는 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴, 이의 형성방법, 이를 이용한 무막 장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/06 (2015.11.03) H01L 21/02 (2015.11.03)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020150130133 (2015.09.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0032606 (2017.03.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동표 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 고동현 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)
2 특허법인이룸 대한민국 서울시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0894603-11
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0317337-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0830892-81
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0153813-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0020455-19
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0020466-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0373078-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 웨이퍼를 금속 촉매가 용해된 수용액에 침지시켜 실리콘 웨이퍼 상에 금속 촉매를 로딩하는 단계;(b) 상기 금속 촉매가 로딩된 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 종횡비(aspect ratio)가 50 내지 750인 복수개의 실리콘 나노와이어로 이루어진 실리콘 나노와이어 패턴을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 실리콘 나노와이어 패턴 표면에 실리카 나노 입자들을 도포한 후, 플루오르화하는 단계를 포함하는 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴의 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 금속 촉매의 로딩은 20초 내지 5분 동안 수행되는양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴의 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 에칭은 30분 내지 6시간 동안 수행되는 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴의 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 실리콘 나노와이어 패턴을 이루는 복수개의 실리콘 나노와이어는 콘 형상인양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴의 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계 후에, 상기 금속 촉매를 제거하는 단계를 추가로 포함하는양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴의 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 실리카 나노 입자는 실리카 전구체를 포함하는 용액으로부터 형성되고, 상기 실리카 전구체의 몰농도는 8mM 내지 40mM인 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴의 형성방법
7 7
실리콘 웨이퍼 상에 형성되고, 실리카 나노 입자들이 도포된 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴으로서,소수성 및 소유성 용매에 대한 접촉각이 90도 이상이고, 상기 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴을 이루는 복수개의 나노와이어 각각의 종횡비(aspect rati o)가 50 내지 750인 것을 특징으로 하는 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴
8 8
실리카 나노 입자들이 도포된 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴이 형성된 양성소수성 실리콘 나노와이어 채널을 가지고, 상기 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴을 이루는 복수개의 나노와이어 사이로 기체가 유동하는 제1 부재; 및액체 유동을 위한 미세 채널을 가지는 제2 부재를 포함하고,상기 제1 부재의 양성소수성 실리콘 나노와이어 채널 및 제2 부재의 미세채널은 연통되도록 결합되는 무막 장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 제2 부재 내부 표면에 형성된 접착층을 추가로 포함하는 무막 장치
10 10
제8항에 있어서,상기 무막 장치는 상기 제2 부재에 기체를 위한 입구와 출구 및 액체를 위한 입구와 출구를 포함하는 무막 미세유체 반응기인무막 장치
11 11
제8항에 있어서,상기 무막 장치는 상기 제2 부재에 기체를 위한 출구 및 액체를 위한 입구와 출구를 포함하는 무막 기체 분리기인무막 장치
12 12
(a) 실리카 나노 입자들이 도포된 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴이 형성된 양성소수성 실리콘 나노와이어 채널을 가지고, 상기 양성소수성 실리콘 나노와이어 패턴을 이루는 복수개의 나노와이어 사이로 기체가 유동하는 제1 부재를 제조하는 단계;(b) 액체 유동을 위한 미세 채널을 가지는 제2 부재를 제조하는 단계; 및 (c) 상기 제1 부재의 양성소수성 실리콘 나노와이어 채널 및 제2 부재의 미세 채널이 연통되도록 상기 제1 부재와 상기 제2 부재를 결합하는 단계를 포함하는 무막 장치의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 (b) 단계 후에, 상기 제2 부재 내부 표면에 접착층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 무막 장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 리더연구자지원사업 미세유체응용화학연구단