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애노드 단자;캐소드 단자;게이트는 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되고 소스는 접지 연결되는 제1 NMOS트랜지스터;드레인은 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고 소스는 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되는 제1 PMOS 트랜지스터;소스는 상기 캐소드 단자에 전기적으로 연결되고 게이트는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되는 제2 PMOS 트랜지스터; 및드레인은 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결되고 게이트는 상기 캐소드 단자에 전기적으로 연결되며 소스는 접지 연결되는 제2 NMOS 트랜지스터를 포함하는 액티브 다이오드 제어부; 및소스는 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되고 드레인은 상기 캐소드 단자에 전기적으로 연결되는 스위칭부를 포함하며,상기 액티브 다이오드 제어부는, 상기 애노드 단자에 인가되는 제1전압이 상기 캐소드 단자에 인가되는 제2전압보다 클 경우 상기 애노드 단자로부터 상기 캐소드 단자로 전류가 흐르도록 상기 스위칭부를 온 하는 것을 특징으로 하는 액티브 다이오드 회로
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제1항에 있어서,상기 스위칭부의 게이트는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트에 연결되고,상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인을 연결하는 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 액티브 다이오드 회로
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제1항에 있어서,상기 제1 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트는 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 드레인을 연결하는 제1노드에 연결되고,상기 스위칭부의 게이트는 상기 제1 PMOS 트랜지스터의 드레인과 상기 제1 NMOS 트랜지스터의 드레인을 연결하는 제2노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 액티브 다이오드 회로
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제2항에 있어서,상기 제1 NMOS 트랜지스터의 바디는 상기 애노드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 바디는 상기 캐소드 단자에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액티브 다이오드 회로
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제3항에 있어서,상기 제1 NMOS 트랜지스터의 바디와 상기 제2 NMOS 트랜지스터의 바디는 접지 연결되는 것을 특징으로 하는 액티브 다이오드 회로
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 PMOS 트랜지스터의 바디와 상기 제2 PMOS 트랜지스터의 바디는 상기 캐소드 단자에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 액티브 다이오드 회로
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