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금속 실리사이드 막; 및상기 금속 실리사이드 막 내에 분산된 실리콘 입자들을 포함하되,상기 실리콘 입자들의 총 부피는 상기 금속 실리사이드 막의 부피보다 큰 열전 재료
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 입자들은 결정상의 나노 분말 형태인 열전 재료
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 입자들의 각각의 입경(particle diameter)은 1 나노미터(nm) 내지 100 나노미터(nm)인 열전 재료
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 입자들 중 적어도 일부는 서로 이격된 열전 재료
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제 4 항에 있어서,상기 실리콘 입자들 중 서로 바로 인접한 실리콘 입자들은 1 나노미터(nm) 내지 100 나노미터(nm)만큼 이격된 열전 재료
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제 4 항에 있어서,상기 실리콘 입자들 중 서로 바로 인접한 실리콘 입자들 사이에 개재하는 상기 금속 실리사이드 막의 두께는 1 나노미터(nm) 내지 100 나노미터(nm)인 열전 재료
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제 1 항에 있어서,상기 금속 실리사이드 막은 PtSi, TiSi2, Co2Si, CoSi, CoSi2, NiSi, NiSi2, WSi2, MoSi2, TaSi2, MnSix, FeSi2, Ru2Si3, Mg2(Si, Sn)
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 입자들의 적어도 일부는 서로 접하는 열전 재료
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실리콘 분말과 금속 전구체 용액을 혼합하여 예비 열전 재료 혼합액을 형성하는 것; 및상기 예비 열전 재료 혼합액을 소결하여 열전 재료를 형성하는 것을 포함하되,상기 실리콘 분말의 질량은 상기 금속 전구체 용액의 질량의 2 배 내지 104배인 열전 재료의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 예비 열전 재료 혼합액은 불순물 입자들을 더 포함하는 열전 재료의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 소결 공정은 방전 플라즈마 소결(spark plasma sintering)법을 이용하여 수행되고,상기 방전 플라즈마 소결 공정의 온도는 200 ℃ 내지 600 ℃이고,상기 방전 플라즈마 소결 공정은 1 분 내지 30 분 동안 수행되는 열전 재료의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속 전구체 용액은 금속 전구체 및 용매를 포함하되,상기 용매는 상기 소결 공정을 통해 제거되고, 상기 금속 전구체는 상기 소결 공정을 통해 금속 실리사이드 막으로 변하는 열전 재료의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 열전 재료는 금속 실리사이드 막 및 상기 금속 실리사이드 막 내에 분산된 상기 실리콘 분말을 포함하고,상기 열전 재료 내에서 상기 금속 실리사이드 막의 부피는 상기 실리콘 분말의 부피보다 작은 열전 재료의 제조 방법
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제1 도전형을 가지는 제1 열전 재료부;상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 열전 재료부;상기 제1 반도체의 상면 및 상기 제2 반도체의 상면에 접하는 제1 도전체; 및상기 제1 반도체의 하면 및 상기 제2 반도체의 하면에 각각 접하는 한 쌍의 제2 도전체들을 포함하되,상기 제1 열전 재료부 및 상기 제2 열전 재료부의 각각은 금속 실리사이드 막 및 상기 금속 실리사이드 막 내에 분산된 실리콘 입자들을 포함하되,상기 제1 열전 재료부 및 상기 제2 열전 재료부의 각각 내에서 상기 실리콘 입자들의 총 부피는 상기 금속 실리사이드 막의 부피보다 큰 열전 소자
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