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절연성 필름;상기 절연성 필름 상에 전도성 필름;상기 전도성 필름 상에 기판; 및 상기 기판상에 형성된 복수의 금속 패턴; 을 포함하고,상기 기판은 복수의 비아홀을 포함하고, 상기 복수의 비아홀에 전도성 물질이 충전된 복수의 전도성 매립부를 포함하며, 상기 전도성 물질이 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate), PPy(Polypyrrole), PANi(Polyaniline), 은 나노입자, 은 나노와이어, 금 나노입자, 및 금 나노와이어 중에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 복수의 금속 패턴의 일부 또는 전부가 상기 전도성 필름과 상기 전도성 매립부에 의해 전기적으로 연결된 적층체
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제1항에 있어서,상기 기판이 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 및 폴리디메틸실록산(PDMS) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체
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제1항에 있어서,상기 절연성 필름이 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리불화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리카바졸, 폴리비닐아세테이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르이미드, 폴리에테르설포네이트, 및 폴리부타디엔 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체
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제1항에 있어서,상기 전도성 필름이 알루미늄, 탄탈륨, 및 크로뮴 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체
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제1항에 있어서,상기 기판과 상기 전도성 필름 사이에 분리형 필름을 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 적층체
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제1항에 있어서,상기 복수의 금속패턴이 알루미늄, 탄탈륨, 및 크로뮴 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층체
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제1항에 있어서,상기 기판은 두께가 1 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 적층체
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제8항에 있어서,상기 비아홀은 직경이 0
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(a) 기판에 복수의 비아홀을 형성하는 단계;(b) 상기 복수의 비아홀에 전도성 물질을 충전하여 복수의 전도성 매립부를 포함하는 기판을 제조하는 단계; (c) 상기 기판의 일면 상에, 상기 복수의 전도성 매립부의 각각에 전기적으로 연결되도록 금속 패턴을 형성함으로써, 서로 전기적으로 분리된 복수의 금속 패턴을 포함하는 금속패턴/기판을 제조하는 단계;(d) 상기 기판의 타면 상에 전도성 필름을 적층하여 상기 전도성 필름이 상기 전도성 매립부를 통하여 상기 복수의 금속 패턴의 일부 또는 전부와 전기적으로 연결된 금속패턴/기판/전도성 필름을 제조하는 단계;(e) 상기 전도성 필름 상에 절연성 필름을 적층하여 금속 패턴/기판/전도성 필름/절연성 필름을 제조하는 단계; 및 (f) 상기 금속 패턴/기판/전도성 필름/절연성 필름의 전도성 필름에 양극을 연결하고 전압을 인가하여 양극 산화 방법으로 금속 패턴 상에 금속 산화막을 형성시켜 금속 산화막/금속 패턴/기판/전도성 필름/절연성 필름 적층체를 제조하는 단계;를포함하는 금속 패턴의 양극 산화 처리방법
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제10항에 있어서,상기 금속 산화막은 두께가 5 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 양극 산화 처리방법
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제10항에 있어서,단계 (a)에서 상기 비아홀은 레이저 가공기 또는 드릴 기구에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 양극 산화 처리방법
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제10항에 있어서,단계 (b)는 잉크젯 프린팅, 화학기상증착, 디스펜싱(dispensing), 및 파이펫팅(pipetting) 중에서 선택된 어느 하나의 방법에 의해 상기 전도성 물질을 충전하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 양극 산화 처리방법
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제10항에 있어서,단계 (c)의 상기 복수의 금속패턴은 상기 기판의 일면 전체에 금속을 증착한 후, 소정의 패턴을 포토에칭(photoetching)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 양극 산화 처리방법
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제10항에 있어서,단계 (f)의 양극 산화에서 상기 전압은 5 내지 20V로 인가하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 양극 산화 처리방법
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(1) 제10항에 따라 금속 산화막/금속 패턴/기판/전도성 필름/절연성 필름 적층체를 제조하는 단계;(2) 상기 금속 산화막/금속 패턴/기판/전도성 필름/절연성 필름 적층체에서 전도성 필름/절연성 필름을 제거하여 금속 산화막/금속 패턴/기판을 제조하는 단계;(3) 상기 금속 산화막 상에 유기반도체층을 형성하는 단계; 및(4) 상기 금속 산화막 상에 상기 유기반도체층에 의해 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를포함하는 유기박막 트랜지스터 회로의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 적층체는 상기 기판과 전도성 필름 사이에 분리형 필름을 추가로 포함하고, 단계 (2)는 상기 분리형 필름을 상기 기판으로부터 분리함으로써 상기 전도성 필름/절연성 필름을 제거하여 금속 산화막/금속 패턴/기판을 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 회로의 제조방법
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제16항에 있어서,단계 (2) 이후, 상기 금속 산화막 상에 자기조립 단분자층(self-assembled monolayer)을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 회로의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 유기박막 트랜지스터 회로가 플렉서블(flexible) 유기박막 트랜지스터 회로인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 회로의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 플렉서블 유기박막 트랜지스터가 1
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