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P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(211)의 전면에 상기 기판(211)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(211)과 함께 광전효과를 나타내는 이미터(emitter) 층으로 형성되거나 컬렉터(collector) 층으로 형성되는 전면 층(212)이 도핑 처리되어 형성되어 있고, 상기 전면 층(212) 위에 형성되는 반사 방지막(213)(ARC: Anti-Reflection Coating layer)을 관통하여 상기 전면 층(212)과 접속하는 전면 전극(214)이 형성되어 있고, 상기 기판(211)의 후면과 접속하는 후면 전극(215)이 형성되어 있는 태양전지에 있어서,상기 전면 층(212)과 반사 방지막(213) 사이에 반도체 또는 금속물질로 된 나노결정을 증착시켜 형성한 나노결정 박막 위에 아모포스실리콘(a-Si:H) 박막이 증착되어 있고, 상기 나노결정의 크기와 아모포스실리콘(a-Si:H) 박막의 두께는 23∼40 : 1∼10의 비율로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(211)의 표면은 평탄한 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(211)의 표면은 요철 형상의 패턴으로 표면조직화(texturing) 처리된 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(212)은 상기 기판(211)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(212)은 상기 기판(211)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 나노결정의 크기와 나노결정의 간격은 7∼12 : 1∼3의 비율로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지
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제 1 항에 있어서, 상기 전면 층(212)과 반사 방지막(213) 사이에 형성된 상기 아모포스실리콘(a-Si:H) 박막 위에 상기 전면 층(212)과 동일 재질로 된 이중 전면 층(212a)이 도핑 처리되어 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지
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P형 실리콘 기판 혹은 N형 실리콘 기판 중 어느 하나로 된 기판(211)의 전면에 상기 기판(211)과의 P-N 접합을 형성한 상태에서 상기 기판(211)과 함께 광전효과를 나타내는 이미터(emitter) 층으로 형성되거나 컬렉터(collector) 층으로 형성되는 전면 층(212)이 도핑 처리되어 형성되어 있고, 상기 전면 층(212) 위에 형성되는 반사 방지막(213)(ARC: Anti-Reflection Coating layer)을 관통하여 상기 전면 층(212)과 접속하는 전면 전극(214)이 형성되어 있고, 상기 기판(211)의 후면과 접속하는 후면 전극(215)이 형성되어 있는 태양전지 제조방법에 있어서,상기 전면 층(212)과 반사 방지막(213) 사이에 반도체 또는 금속물질로 된 나노결정을 증착하여 나노결정 박막을 형성한 다음 상기 나노결정 박막 위에 아모포스실리콘(a-Si:H) 박막을 증착하여 형성하되, 상기 나노결정의 크기와 아모포스실리콘(a-Si:H) 박막의 두께는 23∼40 : 1∼10의 비율이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 나노결정 박막은 표면이 평탄한 기판(211)에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 나노결정 박막은 표면이 요철 형상의 패턴으로 표면조직화(texturing) 처리된 기판(211)에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 기판(211)이 P형 실리콘 기판이면 N형 이미터 층으로 상기 전면 층(212)을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 기판(211)이 N형 실리콘 기판이면 P형 컬렉터 층으로 상기 전면 층(212)을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 나노결정의 크기와 나노결정의 간격은 7∼12 : 1∼3의 비율이 되도록 나노결정 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 전면 층(212)과 반사 방지막(213) 사이에 형성된 상기 아모포스실리콘(a-Si:H) 박막 위에 상기 전면 층(212)과 동일 재질로 된 이중 전면 층(212a)을 도핑 처리하여 더 형성하는 것을 특징으로 하는 나노결정 박막이 형성된 태양전지 제조방법
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